[发明专利]处理工件的方法

说明书

本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法，包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。

技术领域

本发明的实施例涉及一种处理工件的方法与装置，且更具体而言，涉及在退火工艺期间减少自工件扩散的硼的量的方法。

背景技术

半导体工件常常被植入掺杂物质以产生所需的导电性。举例而言，太阳能电池可被植入掺杂物质以产生射极区。可使用多种不同的机制来进行此植入。射极区的生成使得能够在太阳能电池中形成p-n结(p-n junction)。随着光照射到太阳能电池上，电子被激发，从而产生电子-空穴对。由来自入射光的能量产生的少数载流子在太阳能电池中扫掠过p-n结。此会产生电流，所述电流可用以对外部负载供电。

在一些实施例中，使用硼在太阳能电池中产生p掺杂(p-doped)区。举例而言，在n型钝化射极背面局域化(passivated emitter,rear localized，PERL)太阳能电池中，硼被植入于前表面中。然而，当电池在制造期间经受退火时，硼具有扩散出电池的趋势。当太阳能电池被退火时，太阳能电池通常被安置于载具中，使得一个太阳能电池的前表面相邻于下一太阳能电池的后表面。在所植入的硼的退火期间，若位于前表面处或靠近前表面的硼未被有效地结合并驱入至工件中，则所述硼可在高温下向外扩散。硼自太阳能电池的前表面的此种向外扩散继而对所述太阳能电池或相邻太阳能电池的后表面造成污染，并导致表面钝化的严重劣化，此会导致电池性能降低。硼的此种向外扩散也会降低p掺杂区中的掺杂浓度。

因此，在退火之前常常在太阳能电池的表面上沉积保护层以减少硼自前表面的向外扩散以及硼向相邻太阳能电池的后表面的扩散。然而，这些保护层的沉积及后续移除增加了工艺，从而会增加太阳能电池制造工艺的时间及成本。

因此，一种改善与太阳能电池相关联的制造工艺并特别是减少与硼向外扩散相关联的污染的装置及方法将有所助益。

发明内容

公开了一种处理太阳能电池的装置及方法，其中在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在某些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。

根据一个实施例，公开了一种处理工件的方法。所述方法包括：将硼植入至所述工件的第一表面中；在所述植入之后将所述工件返送至载具的同时，将所述工件暴露于短的热处理；以及在所述暴露之后，使所述工件经受退火工艺。在某些实施例中，在所述暴露期间对周围环境供应氧气。在某些实施例中，在所述暴露期间对周围环境供应氧气及至少一种惰性气体。在一些实施例中，所述短的热处理是使用激光来执行。在某些实施例中，所述短的热处理是使用一或多个加热灯来执行。在某些实施例中，所述短的热处理是使用一或多个发光二极管来执行。在某些实施例中，所述方法包括在所述暴露之前将氧植入至所述工件的所述第一表面中。在另一些实施例中，氧是与硼同时植入。在某些实施例中，所述短的热处理将所述工件加热至介于850℃与1450℃之间的温度。

根据第二实施例，公开了一种处理工件的装置。所述装置包括：装卸室；腔室，容纳植入系统，并与所述装卸室连通；以及加热源，安置于所述装卸室中，以在所述工件经过所述植入系统处理之后加热所述工件。在某些实施例中，在所述加热源被致动的同时，对所述装卸室供应氧气。在某些实施例中，所述加热源包括加热灯、激光或发光二极管。