[发明专利]Ag合金膜及其制造方法、Ag合金溅射靶以及层叠膜

权利要求书

1.一种Ag合金膜，其特征在于，

在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下，

所述Ti的一部分或全部以Ti的氧化物的形式而存在于所述Ag合金膜的表面或内部。

2.根据权利要求1所述的Ag合金膜，其特征在于，

Ti的含量A与Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga的合计含量B的原子比A/B在0.1以上且6.0以下的范围内。

3.根据权利要求1所述的Ag合金膜，其特征在于，

在合计0.1原子％以上且与Ti、Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga的总计成为10.0原子％以下的范围内还含有选自Pd、Pt、Au中的至少一种元素。

4.根据权利要求1所述的Ag合金膜，其特征在于，

膜厚为20nm以下。

5.一种层叠膜，其特征在于，

具备权利要求1至4中任一项所述的Ag合金膜及形成于该Ag合金膜的单面或两面的导电性氧化物膜。

6.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，

在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下，

该Ag合金溅射靶为包含多个Ag合金晶体的多晶体，在多个部位测定所述Ag合金晶体的粒径的结果，由以下的C和D_max来定义的Ag合金晶粒直径的偏差E％＝|D_max-C|/C×100在20％以内，其中，C表示平均晶粒直径，定义为所测定的所有Ag合金晶体的粒径的平均值，D_max定义为在所测定的各部位的Ag合金晶体的粒径的平均值D中，与所述平均晶粒直径C的差值的绝对值成为最大的平均值。

7.根据权利要求6所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

Ti的含量A与Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga的合计含量B的原子比A/B在0.1以上且6.0以下的范围内。

8.根据权利要求6所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

在合计0.1原子％以上且与Ti、Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga的总计成为10.0原子％以下的范围内还含有选自Pd、Pt、Au中的至少一种元素。

9.根据权利要求6所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

所述Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为10质量ppm以下。

10.根据权利要求6所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

所述平均晶粒直径C为200μm以下。

11.一种Ag合金膜的制造方法，其特征在于，

使用权利要求6至10中任一项所述的Ag合金溅射靶进行溅射，

在包含氧的气体气氛下进行溅射，所述氧的量为其压力相对于惰性气体的总压力成为0.5～5％的量。