[发明专利]摄像装置、制造方法和基板分割方法有效
| 申请号： | 201680039846.3 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107851647B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 山口征也;高地泰三;古濑骏介;大井上昂志;池边祐希 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 制造 方法 分割 | ||
1.一种半导体装置，其包括一个或多个芯片，每一所述芯片包括：
第一基板；
透明层；
粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板和所述透明层之间；以及
第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间，
其中，所述粘合剂层在所述芯片的侧表面上延伸至所述第二基板。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透明层是盖玻璃层，且所述粘合剂层是树脂。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第二基板的侧壁包括刀片切割部和隐形切割部。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述隐形切割部和所述刀片切割部延伸至所述粘合剂层向所述第二基板延伸的部分。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述隐形切割部比所述刀片切割部更远离所述粘合剂层向所述第二基板延伸的所述部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括微透镜层和配线层，其中，所述粘合剂层穿过所述微透镜层且穿过所述配线层延伸，使得所述粘合剂层与所述微透镜层、所述配线层和所述第一基板接触。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二基板的侧壁包括刀片切割部，并且所述粘合剂层向所述第二基板延伸的部分的宽度大于与所述刀片切割部接触的刀片的宽度。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其还包括阻焊剂，所述阻焊剂被布置在所述第二基板的底部上。
9.一种摄像装置，其包括一个或多个芯片，每一所述芯片包括：
透明层；
第一基板，所述第一基板包括光电转换部；
粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间；
第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间；以及
微透镜层，所述微透镜层包括用于将入射光聚焦至所述光电转换部的微透镜，
其中，所述粘合剂层在所述芯片的侧表面上延伸至所述第二基板。
10.根据权利要求9所述的摄像装置，其中，所述第二基板包括第一切割部和第二切割部。
11.根据权利要求9所述的摄像装置，其还包括配线层，其中，所述粘合剂层穿过所述微透镜层且穿过所述配线层延伸。
12.根据权利要求11所述的摄像装置，其中，所述粘合剂层延伸，使得所述粘合剂层与所述微透镜层、所述配线层和所述第一基板接触。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的摄像装置，其中，所述粘合剂层是树脂。
14.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，所述粘合剂层向所述第二基板延伸的部分的宽度大于与所述第一切割部和所述第二切割部接触的刀片的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
