[发明专利]摄像装置、制造方法和基板分割方法有效

专利信息
申请号: 201680039846.3 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN107851647B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 山口征也;高地泰三;古濑骏介;大井上昂志;池边祐希 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 瓮芳;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 装置 制造 方法 分割
【说明书】:

本发明提供了半导体装置和半导体装置形成方法,所述半导体装置包括:第一基板;以及第二基板,所述第二基板与第一基板相邻,其中,所述第二基板的侧壁包括一个或多个切割部,所述切割部可以包括刀片切割部和隐形切割部。本发明还提供了摄像装置和摄像装置形成方法,所述摄像装置包括:第一基板;透明层;粘合剂层,所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间;第二基板,其中,所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间;以及凹槽,所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板,其中,所述凹槽填充有所述粘合剂层。

技术领域

当前公开的技术涉及摄像装置、制造方法和基板分割方法。更具体地,本发明涉及能够改善防潮性能的摄像装置、制造方法和基板分割方法。

相关申请的交叉引用

本申请要求分别于2015年7月24日和2016年6月22日提交的日本优先权专利申请JP 2015-147145和JP 2016-123597的权益,因此将这两个专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

背景技术

近来,如下的摄像设备被用作数码摄像机或数码照相机等:在该摄像设备中,以二维形状排列着多个电荷耦合器件(CCD:charge coupled device)或多个互补金属氧化物半导体(CMOS:complementary metal-oxide半导体)器件等。

作为在CMOS图像传感器中实现同时累积电荷的方法,现有技术公开了一种具有用于将信号临时存储在存储器中的结构的全局快门结构。全局快门结构被配置成:通过在各个像素中布置存储器、以批量的方式传输在所有像素的光接收部中所累积的电荷并且对电荷进行存储直到对各行执行读取而使所有像素的曝光时间彼此同步(参见PTL 1和PTL 2)。

引用列表

专利文献

PTL 1:JP 2012-129797 A

PTL 2:JP 2013-21533 A

发明内容

技术问题

摄像装置是通过在基板上制造多个摄像装置并在制造时分割(切割)基板而被制造的。在这种分割中,可能会发生膜剥离、开裂或其他问题。由于发生了膜剥离、开裂或其他问题,所以水可能会渗入到摄像装置中并引起结露,从而导致图像质量的劣化。

理想的是,在制造摄像装置的期间内和在制造摄像装置之后保持并改善防潮性能。

本文中所公开的技术是鉴于上述情况而被做出的,并且本文中所公开的技术被设计成除了其他优点之外还能够改善防潮性能。

解决问题的技术方案

根据本发明的各种实施例,提供了一种半导体装置,其包括:第一基板;以及第二基板,其与所述第一基板相邻,其中,所述第二基板的侧壁包括刀片切割部和隐形切割部。

各种实施例可以包括摄像装置,其中,所述第一基板被布置在透明层与所述第二基板之间。

各种实施例可以包括摄像装置,所述摄像装置还包括粘合剂层,所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间。

各种实施例可以包括摄像装置,所述摄像装置还包括凹槽,所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板。

各种实施例可以包括摄像装置,其中,所述透明层是盖玻璃层,且所述粘合剂层是树脂。

各种实施例可以包括摄像装置,其中,所述隐形切割部和所述刀片切割部延伸至所述凹槽。

各种实施例可以包括摄像装置,其中,所述隐形切割部比所述刀片切割部更远离所述凹槽。

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