[发明专利]锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法在审
| 申请号： | 201680040554.1 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107851784A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 岩谷敬三;木崎哲朗;高野义人;近藤正一 | 申请（专利权）人： | 捷恩智株式会社;捷恩智石油化学株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;C01B33/18;H01M4/131;H01M4/1391 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锂离子 二次 电池 负极 活性 物质 及其 制造 方法 | ||
1.一种锂离子二次电池用负极活性物质，其是含有通式SiOxHy(1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4)所表示的硅氧化物而成，所述硅氧化物是对使式(1)所表示的硅化合物进行水解及缩合反应所得的氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理而获得，含有硅(Si)、氧(O)及氢(H)，且在利用红外光谱法所测定的光谱中，处于820cm-1～920cm-1间的来源于Si-H键的峰值1的强度(I1)与处于1000cm-1～1200cm-1间的来源于Si-O-Si键的峰值2的强度(I2)的比(I1/I2)在0.01～0.35的范围内，
HSi(R)3(1)
(式中，R为分别相同或不同的选自卤素、氢、碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中的基团；其中，在碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中，任意的氢可经卤素取代)。
2.根据权利要求1所述的锂离子二次电池用负极活性物质，其特征在于：所述硅化合物为三卤化硅烷或三烷氧基硅烷。
3.根据权利要求1或2所述的锂离子二次电池用负极活性物质，其特征在于：对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为600℃～900℃。
4.根据权利要求1或2所述的锂离子二次电池用负极活性物质，其特征在于：对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为650℃～850℃。
5.一种锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，制造含有通式SiOxHy(1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4)所表示的硅氧化物而成的锂离子二次电池用负极活性物质，其中所述硅氧化物是对使式(1)所表示的硅化合物进行水解及缩合反应所得的氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理而获得，含有硅(Si)、氧(O)及氢(H)，在利用红外光谱法所测定的光谱中，处于820cm-1～920cm-1间的来源于Si-H键的峰值1的强度(I1)与处于1000cm-1～1200cm-1间的来源于Si-O-Si键的峰值2的强度(I2)的比(I1/I2)在0.01～0.35的范围内，
HSi(R)3(1)
(式中，R为分别相同或不同的选自卤素、氢、碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中的基团；其中，在碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中，任意的氢可经卤素取代)。
6.根据权利要求5所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于：所述硅化合物为三卤化硅烷或三烷氧基硅烷。
7.根据权利要求5或6所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于：对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为600℃～900℃。
8.根据权利要求5或6所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于：对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为650℃～850℃。
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