[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201680041041.2 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN107851567B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 桥诘彰夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,将含有异丙醇的含异丙醇液供给至被保持为水平的基板,包括:
基板保持单元,用于将基板保持为水平,
冲洗液供给单元,用于将含有水的冲洗液供给至由所述基板保持单元保持的基板,
第一异丙醇供给系统,用于将含异丙醇液供给至由所述基板保持单元保持的基板,包括用于贮留要被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液的第一贮留槽,
第二异丙醇供给系统,用于将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板,
回收单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液,回收至所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统双方或所述第一异丙醇供给系统,包括用于贮留被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液的中间槽,所述中间槽连接于所述第一贮留槽,以及
控制装置,用于控制所述冲洗液供给单元、所述第一异丙醇供给系统、所述第二异丙醇供给系统、及所述回收单元;
所述控制装置执行如下步骤:
冲洗液供给步骤,用于使所述冲洗液供给单元将冲洗液供给至所述基板,
第一异丙醇供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,使所述第一异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至附着有冲洗液的所述基板,
第二异丙醇供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤之后,使所述第二异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至所述基板,以及
回收步骤,用于使所述回收单元回收在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液;
所述回收步骤包括:
贮留步骤,用于将在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液贮留于所述中间槽,以及
供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤之后,将所述中间槽内的含异丙醇液供给至所述第一贮留槽。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
排液单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液,在被回收至所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统双方或所述第一异丙醇供给系统之前,从所述回收单元排出;
所述控制装置还执行:
排液步骤,在所述回收步骤之前,使所述排液单元排出在所述第一异丙醇供给步骤被供给至所述基板的含异丙醇液。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统将由所述回收单元回收后的尚未被脱水的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;
所述第二异丙醇供给系统将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的未使用的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造