[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201680041041.2 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN107851567B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 桥诘彰夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,将含水的冲洗液供给至被保持为水平的基板之后,使含有异丙醇的含IPA液供给至已附着有冲洗液的基板。之后,将水分浓度较低的含IPA液供给至基板。被供给至基板的含IPA液为了被再次供给至基板而被回收。
技术领域
本发明是关于一种处理基板的基板处理装置及基板处理方法。在成为处理对象的基板中,例如包括有半导体晶圆(wafer)、液晶显示设备用基板、电浆显示器(plasmadisplay)用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜(ph oto mask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在专利文献1中,已揭示一种使用IPA(异丙醇(isopropyl alcohol))的蒸气来使水洗后的被干燥物干燥的蒸气干燥装置。该蒸气干燥装置具备:膜分离装置,用于将水从被供给至半导体晶圆等被干燥物的IPA中分离。在该蒸气干燥装置中,以被设置于被干燥物之下方的蒸气产生部来使IPA蒸发,且使IPA的蒸气接触水洗后的被干燥物。在被干燥物的表面凝结后的I PA的液体,与已附着于被干燥物的水分一起流掉,且掺杂在位于蒸气产生部的IPA的液体中。利用被配置于蒸气产生部的膜分离装置将IPA中所含的水分去除。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-90240号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中,已揭示如下内容:为了将水分浓度较低的IPA的蒸气供给至被干燥物,而去除使用后的IPA的液体中所含的水分。然而,有关有效率地供给水分浓度较低的IPA的内容则并未揭示于专利文献1中。
换句话说,即便IPA的供给开始时的IPA中之水分浓度较高,只要IPA的供给结束时的IPA中之水分浓度较低,则仍可以降低供给IPA后残留于被干燥物的水分的含量,且可以抑制或防止因水渍(watermark)或图案崩塌(p attern collapse)等的残留水分所引起的异常的发生。再者,比起从最初就供给水分浓度较低的IPA的情况,还可以降低水分浓度较低的IPA的使用量。
然而,在专利文献1中,虽然已揭示去除IPA的液体中所含的水分的内容,但是并未揭示有关在IPA的蒸气被供给至被干燥物时,使IPA中的水分浓度随着时间的经过而降低的内容。在专利文献1中,是从IPA的供给开始时就将水分浓度较低的IPA供给至基板。
于是,本发明的目的之一是在于降低IPA的消耗量的同时,将水分浓度较低的IPA有效率地供给至基板。
用于解决问题的手段
本发明的一个实施方式,一种将含有异丙醇的含IPA液供给至被保持为水平的基板的基板处理装置,包括:基板保持单元,用于将基板保持为水平;冲洗液供给单元,用于将含有水的冲洗液供给至由所述基板保持单元保持的基板;第一IPA供给系统,用于将含IPA液供给至由所述基板保持单元保持的基板;第二IPA供给系统,用于将水分浓度比由所述第一IPA供给系统供给的含IPA液的水分浓度更低的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;回收单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含IPA液,回收至所述第一IPA供给系统及第二IPA供给系统双方或所述第一IPA供给系统;以及,控制装置,用于控制所述冲洗液供给单元、所述第一IPA供给系统、所述第二IPA供给系统、及所述回收单元;所述控制装置执行如下步骤:冲洗液供给步骤,用于使所述冲洗液供给单元将冲洗液供给至所述基板;第一IPA供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,使所述第一IPA供给系统将含IPA液供给至附着有冲洗液的所述基板;第二IPA供给步骤,在所述第一IPA供给步骤之后,使所述第二IPA供给系统将含IPA液供给至所述基板;以及,回收步骤,用于使所述回收单元回收在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含IPA液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造