[发明专利]基材的处理方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201680041470.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107851551B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 丸山洋一郎;森隆;水野光 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基材 处理 方法 半导体 装置 | ||
1.一种基材的处理方法，其依次包括：
（1）形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，
此处所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层I、以及
形成于所述暂时固定材层I中的支撑体侧的面上且含有选自有机系光吸收剂、具有缩合多环芳香族环的树脂、黑色颜料、非黑色颜料、及染料的群组中的一种以上、以及含有选自环烯烃系聚合物、萜烯系树脂、石油树脂、及弹性体的群组中的一种以上的热分解性树脂的暂时固定材层II，
所述热分解性树脂为5%重量减少温度为300℃以下的树脂；
（2）对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；
（3）对所述暂时固定材层II照射光的步骤；
（4）自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及
（5）自所述基材去除所述暂时固定材层I的步骤。
2.根据权利要求1所述的基材的处理方法，其中所述组合物含有聚苯并噁唑前体。
3.根据权利要求1或2所述的基材的处理方法，其中在所述步骤（3）中，对所述暂时固定材层II照射的光为紫外线。
4.根据权利要求3所述的基材的处理方法，其中所述紫外线为波长300 nm～400 nm的紫外线。
5.根据权利要求1或2所述的基材的处理方法，其中在所述步骤（5）中，通过自所述基材剥离所述暂时固定材层I的处理和/或使用溶剂对所述暂时固定材层I进行清洗的处理而自所述基材去除所述暂时固定材层I。
6.一种半导体装置，其是利用根据权利要求1至5中任一项所述的基材的处理方法而得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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