[发明专利]基材的处理方法及半导体装置

说明书

本发明提供一种基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置。本发明的基材的处理方法依次包括：形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)的暂时固定材；对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；对所述层(II)照射光的步骤；自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及自所述基材去除所述层(I)的步骤。

技术领域

本发明涉及一种基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置。

背景技术

提出有：在经由暂时固定材将半导体晶圆等基材粘接于玻璃基板等支撑体上的状态下，对基材进行背面研磨及感光蚀刻加工(photofabrication) 等步骤的方法。对于所述暂时固定材而言必需的是：在加工处理中可将基材暂时固定于支撑体上，在加工处理后可自支撑体容易地分离基材。

提出有：在所述分离处理中，通过对包含支撑体、暂时固定材以及基材的层叠体中的所述暂时固定材照射紫外线及红外线等放射能量，使暂时固定材的接着力降低而自支撑体分离基材的方法。

例如，在专利文献1中，揭示有通过包含剥离层及粘接层的暂时固定材将透明的支撑体与半导体晶圆暂时固定而成的层叠体，并提出有通过自透明的支撑体侧一面扫描激光一面对剥离层进行照射，使剥离层的接着力降低而自支撑体剥离基材的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国公开专利第2014/0106473号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在之前的自支撑体剥离基材的方法中，自透明的支撑体侧对剥离层照射激光，故而有时在剥离层中产生因激光照射而局部达到1000℃左右的热。所产生的热也传导至粘接层，故而引起粘接层的劣化。粘接层的劣化会引起如下问题：无法通过剥离处理或使用溶剂的清洗处理容易地将剥离后的基材上的粘接层去除。

本发明的问题在于提供一种基材的处理方法，其为在经由暂时固定材将基材暂时固定于支撑体上的状态下进行基材的加工·移动处理的方法，可通过例如剥离和/或溶剂清洗而容易地将自支撑体分离基材后残留于基材上的粘接层去除。

解决问题的技术手段

本发明人等人为了解决所述问题而进行了努力研究。其结果发现利用具有以下构成的基材的处理方法可解决所述问题，从而完成了本发明。

即，本发明例如是有关于以下的[1]～[8]。

[1]一种基材的处理方法，其依次包括：(1)形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，此处所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述暂时固定材层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层 (II)；(2)对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；(3)对所述暂时固定材层(II)照射光的步骤；(4)自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及(5)自所述基材去除所述暂时固定材层(I)的步骤。

[2]根据所述[1]记载的基材的处理方法，其中所述组合物含有聚苯并噁唑前体。

[3]根据所述[1]或[2]记载的基材的处理方法，其中所述暂时固定材层 (II)进而含有热分解性树脂。

[4]根据所述[1]～[3]中任一项记载的基材的处理方法，其中在所述步骤 (3)中，对所述暂时固定材层(II)照射的光为紫外线。