[发明专利]半导体激光模块在审

专利信息
申请号: 201680041553.9 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN107851960A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 三浦雅和;三代川纯;山冈一树;木村俊雄 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 模块
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体激光模块。

背景技术

近年来,半导体激光器(激光二极管)在光通信中作为信号用光源、光纤放大器的激励用光源而被大量使用。在光通信中使用半导体激光器作为信号用光源、激励用光源的情况下,多数情况被模块化为半导体激光模块,该半导体激光模块构成为使来自半导体激光器的激光光学耦合到光纤中,经由光纤来输出激光。

典型来说,半导体激光模块具备半导体激光器、光纤以及用于使来自半导体激光器的激光光学耦合到光纤中的透镜(也包含一体形成于光纤的端面的情况),有时还具备隔离器(isolator)、光电二极管等附属要素。这些构成要素在半导体激光模块中,以固定在一个或多个基座上的状态容纳在壳体的内部(例如参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:JP特开2002-333554号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是,固定了半导体激光模块的构成要素的基座有时根据温度变化会产生变形。关于半导体激光模块的温度变化,例如,有环境温度的变化、由于供给用于驱动半导体激光器的电流而产生的热所引起的半导体激光模块的温度变化,还有以振荡波长的控制为目的而通过珀耳帖元件等来主动地使其发生温度变化的情况。这些温度变化所引起的基座的变形致使基座上的构成要素的位置关系产生误差,导致半导体激光器与光纤之间的耦合效率等半导体激光模块的光学性能下降。

本发明鉴于上述情况而作,其目的在于提供一种能够抑制因温度变化而引起的光学性能的下降的半导体激光模块。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题,达成目的,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块具备:半导体激光器,其输出激光;光纤,其对所述激光进行导光;透镜,其使从所述半导体激光器输出的所述激光耦合到所述光纤;基座,其形成为大致板状,对所述半导体激光器、所述光纤以及所述透镜直接或间接地进行固定;和壳体,其容纳且直接或间接地固定所述基座,所述半导体激光模块的特征在于,所述基座的面中的直接或间接地固定于所述壳体的一侧的面,具有直接或间接地与所述壳体接合的接合面和不固定于所述壳体而背离的背离面。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述基座是在所述接合面与所述背离面之间形成了台阶的板状构件。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述半导体激光器配置在所述基座的面中的与所述接合面对置的区域。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述透镜配置在所述基座的面中的与所述接合面对置的区域。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,还具备珀耳帖元件,该珀耳帖元件构成为在上板与下板之间产生温度差,所述基座经由所述珀耳帖元件间接地固定于所述壳体,使得所述上板与所述接合面接合,所述下板与所述壳体接合。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,直接或间接地与所述壳体接合的接合面相对于所述基座的面中的直接或间接地固定于所述壳体的一侧的面的面积的比例,为25%以上且90%以下。

此外,本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,直接或间接地与所述壳体接合的接合面相对于所述基座的面中的直接或间接地固定于所述壳体的一侧的面的面积的比例,为40%以上且68%以下。

发明效果

本发明所涉及的半导体激光模块发挥能够抑制温度变化所引起的光学性能的下降这样的效果。

附图说明

图1是示出第1实施方式所涉及的半导体激光模块的整体结构的立体图。

图2是示出第1实施方式所涉及的基座及其上的各结构的立体图。

图3是示出将第1实施方式所涉及的基座接合于珀耳帖元件的状态的立体图。

图4是示出在验证实验中使用的基座的结构参数的图。

图5是示出容许的高度方向的位移与接合面的比例之间的关系的曲线图。

图6是示出第2实施方式所涉及的半导体激光模块的整体结构的立体图。

图7是示出第2实施方式所涉及的基座及其上的各结构的立体图。

图8是示出第3实施方式所涉及的基座及其上的各结构的立体图。

具体实施方式

以下,参照附图,对本发明的实施方式所涉及的半导体激光模块详细进行说明。另外,本发明不受以下说明的实施方式限定。

(第1实施方式)

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