[发明专利]含有磺基酯的铵盐的减少缺陷用冲洗溶液

说明书

本发明涉及包含一种或多种选自磺基丁二酸二酯、(磺基甲基)丁二酸二酯、甲基磺基丁二酸二酯、磺基戊二酸二酯和磺基丙三羧酸三酯的化合物的一种或多种铵盐的组合物在清洁或冲洗包含基材和承载于其上的具有线宽为50nm及更小的线‑间隙结构的图案化材料层的产品中的用途。本发明还涉及一种制备包含基材和承载于其上的具有线宽为50nm或更小的线‑间隙结构的图案化材料层的已清洁或冲洗产品的相应方法。本发明还涉及一种HAZEN色数小于1000和/或浊度为0.08‑10NTU的溶液，其中该溶液包含水和一种或多种铵盐以及任选地，一种或多种有机溶剂化合物。本发明还涉及一种制备相应溶液的方法。

本发明涉及包含一种或多种选自磺基丁二酸二酯、(磺基甲基)丁二酸二酯、甲基磺基丁二酸二酯、磺基戊二酸二酯和磺基丙三羧酸三酯的化合物的一种或多种铵盐的组合物在清洁或冲洗包含基材和承载于其上的具有线宽为50nm或更小的线-间隙(line-space)结构的图案化材料层的产品中的用途。本发明还涉及一种制备包含基材和承载于其上的具有线宽为50nm或更小的线-间隙结构的图案化材料层的已清洁或冲洗产品的相应方法。本发明还涉及一种HAZEN色数小于1000和/或浊度为0.08-10NTU的配制剂，其中该配制剂包含水和一种或多种铵盐以及任选地，一种或多种有机溶剂化合物。本发明还涉及一种制备相应配制剂的方法。本发明在权利要求书中定义并且随后在下文更详细描述其具体实施方案。

本发明在所附权利要求书中并在说明书中定义。若没有相反说明，本发明的优选方面意指与本发明的其他优选方面组合。

在制造具有大规模集成(LSI)、非常大规模集成(VLSI)和超大规模集成(ULSI)的集成电路(IC)的工艺中，图案化材料层如图案化光刻胶层，含有氮化钛、钽或氮化钽或由其构成的图案化阻隔材料层，含有例如交替多晶硅和二氧化硅层的堆叠或由其构成的图案化多叠材料层以及含有二氧化硅或低k或超低k介电材料或由其构成的图案化介电材料层通过光刻技术生产。当前该类图案化材料层包含尺寸甚至小于22nm的具有高纵横比的结构。上述规格也适用于下文所定义的本发明。

光刻法是一种其中将刻入掩模中的图案投射到基材如半导体晶片上的方法。半导体光刻法通常包括将一层光刻胶施加于半导体基材的上表面上并通过该掩模将该光刻胶暴露于光化辐射，尤其是波长例如为193nm的UV辐射的步骤。上述原理也适用于下文所述的本发明。为了将193nm光刻法扩展到22nm和15nm技术节点，作为分辨率提高技术已经开发了浸没式光刻法。在该技术中，在光学系统的最后透镜和光刻胶表面之间的气隙被折射率大于1的液体介质，例如对于193nm的波长而言折射率为1.44的超纯水代替。该技术还可以用于本发明方法中或者与下文所述的本发明组合物或配制剂一起使用。然而，为了避免浸出、吸水和图案毁坏，必须使用阻隔涂料或耐水光刻胶。

除了193nm浸没式光刻法外，将使用显著更短波长的其他照射技术视为满足进一步缩减20nm节和更小的待印刷特征尺寸的需求的解决方案。除了电子束曝光外，波长为约13.5nm的极紫外光刻法(EUV)似乎是在将来代替浸没式光刻法的有前景候选方法。在暴露于光化辐射之后，随后的工艺流程与所用光刻方法(例如如上所述的UV光刻法、浸没式光刻法或EUV光刻法)无关并且因此可以用于下文所述的本发明方法中。

通常而言，具有高纵横比且宽度为50nm或更小的结构通过将强光束通过光学掩模投射到光刻胶(基材上的化学沉积层)上而生产。通常将光刻法的基本工序分成多个工艺步骤，例如在许多情况和情形中区分下列工艺步骤(但必须注意的是在其他情况下可以省略、修改工艺步骤或者除了所列工艺步骤外可以插入工艺步骤)：

1.清洁晶片

2.准备

3.施加光刻胶

4.曝光和曝光后烘烤

5.显影和冲洗

6.硬烘烤(hard-bake)

7.随后工艺，例如等离子体蚀刻

通常进行器件制造的随后工艺步骤。