[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板中或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域；

将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方；

形成仅穿过所述金属箔的一部分的多个连续压痕，所述多个连续压痕形成于与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域，并且在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间延伸；以及

在形成所述多个连续压痕之后，隔离所述金属箔的与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成仅穿过所述金属箔的一部分的所述多个连续压痕包括用具有圆柱形基部的辊在所述金属箔上滚压，所述圆柱形基部上具有多个凸起特征结构，所述凸起特征结构形成所述连续压痕。

3.根据权利要求2所述的方法，其中用辊滚压包括使用由所述辊的所述圆柱形基部所施加的压力将所述金属箔热压接合到所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成仅穿过所述金属箔的一部分的多个连续压痕包括用平模切机或旋转模切机对所述金属箔进行压印。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成仅穿过所述金属箔的一部分的多个连续压痕包括使所述多个连续压痕形成至一定深度，所述深度在所述金属箔的总厚度的75％-90％范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成仅穿过所述金属箔的一部分的所述多个连续压痕包括在350–550摄氏度范围内的工艺温度下形成所述多个连续压痕。

7.根据权利要求1所述的方法，其中隔离所述金属箔的与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域包括蚀刻所述金属箔的介于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的所述位置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中隔离所述金属箔的与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域包括对所述金属箔进行阳极化处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方还包括使用选自激光焊接工艺、热压缩工艺和超声波接合工艺的技术将所述金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域包括在形成于所述基板上方的多晶硅层中形成所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域，所述方法还包括：在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每二者之间形成沟槽，所述沟槽部分延伸到所述基板中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板为单晶硅基板，并且其中形成所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域包括在所述单晶硅基板中形成所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域。

12.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。