[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法有效
申请号: | 201680041897.X | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN107851675B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔;尼尔斯-彼得·哈德 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基于 太阳能电池 金属化 压痕 | ||
本发明描述了用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法以及所得的太阳能电池。例如,一种制造太阳能电池的方法包括在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还包括将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方。该方法还包括形成仅穿过金属箔的一部分的多个压痕,所述多个压痕形成于与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域。所述方法还包括在形成所述多个压痕之后隔离所述剩余金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。
技术领域
本公开的实施例属于可再生能源领域,具体地,包括基于箔的太阳能电池金属化的压痕法以及所得的太阳能电池。
背景技术
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结,从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。所述电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区,从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。
效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样,制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。
附图说明
图1A-1C示出根据本公开的实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段的成角度视图。
图2示出根据本公开的实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中的阶段的平面图。
图3示出根据本公开的实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中所用的辊的剖视图,所述辊具有包括多个凸起特征结构的圆柱形基部。
图4示出根据本公开的实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中所用的模切机的平面图。
图5A-5C示出根据本公开的实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段的剖视图。
图6为根据本公开的实施例的流程图,该流程图列出了与图5A-5C相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。
图7A-7C示出根据本公开的另一个实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段的剖视图。
图8为根据本公开的实施例的流程图,该流程图列出了与图7A-7C相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。
图9为根据本公开的另一个实施例的流程图,该流程图列出了制造太阳能电池的另一方法中的操作。
具体实施方式
以下具体实施方式本质上只是例证性的,并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其它实施方式是优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境:
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除其它结构或步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司;道达尔销售服务公司,未经太阳能公司;道达尔销售服务公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的