[发明专利]检测碳氢化合物渗漏的取样技术有效

专利信息
申请号: 201680042595.4 申请日: 2016-05-18
公开(公告)号: CN107850516B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 马赫迪·阿布阿利;马赫·I·阿尔马胡恩;凯哈德·阿罗瑞 申请(专利权)人: 沙特阿拉伯石油公司
主分类号: G01N1/22 分类号: G01N1/22;G01V9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 郭雪茹
地址: 沙特阿拉*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测 碳氢化合物 渗漏 取样 技术
【权利要求书】:

1.一种选择钻井位置的方法,包括针对碳氢化合物渗漏对地理区域进行取样的方法,所述针对碳氢化合物渗漏对地理区域进行取样的方法包括以下步骤:

在勘探地理区域中在距离地面的第一取样深度处通过第一气体取样探头检测碳氢化合物渗漏;

在距离地面的第二取样深度处通过第二气体取样探头检测碳氢化合物渗漏,所述第二取样深度比所述第一取样深度深;

在距离地面的第三取样深度处通过第三气体取样探头检测碳氢化合物渗漏,所述第三取样深度比所述第二取样深度深;

将第一取样深度处的碳氢化合物渗漏、第二取样深度处的碳氢化合物渗漏和第三取样深度处的碳氢化合物渗漏中的每一个与比第一取样深度、第二取样深度和第三取样深度深的参考深度处的碳氢化合物渗漏进行比较,其中参考深度处的碳氢化合物渗漏是已知的;和

基于将第一取样深度处的碳氢化合物渗漏、第二取样深度处的碳氢化合物渗漏和第三取样深度处的碳氢化合物渗漏中的每一个与参考深度处的碳氢化合物渗漏进行比较的结果确定通过勘探地理区域的碳氢化合物渗漏,

其中样品体积在预定时间间隔被所述气体取样探头被动吸收。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,在第一取样深度处检测碳氢化合物渗漏、在第二取样深度处检测碳氢化合物渗漏和在第三取样深度处检测碳氢化合物渗漏的步骤包括:

将多个第一碳氢化合物传感器定位在第一取样深度处;

将多个第二碳氢化合物传感器定位在第二取样深度处;和

将多个第三碳氢化合物传感器定位在第三取样深度处,

其中多个第一碳氢化合物传感器、多个第二碳氢化合物传感器和多个第三碳氢化合物传感器被配置成分别检测第一取样深度处的碳氢化合物、第二取样深度处的碳氢化合物和第三取样深度处的碳氢化合物。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,将多个第一碳氢化合物传感器定位在第一取样深度处的步骤包括:

将多个第一碳氢化合物传感器以二维阵列的方式定位在第一取样深度处。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,第一取样深度距离地面大约为1.0米。

5.根据权利要求2所述的方法,其中,将多个第二碳氢化合物传感器定位在第二取样深度处的步骤包括:

将多个第二碳氢化合物传感器以二维阵列的方式定位在第二取样深度处。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,第二取样深度距离地面大约为5.0米。

7.根据权利要求2所述的方法,其中,将多个第三碳氢化合物传感器定位在第三取样深度处的步骤包括:

将多个第三碳氢化合物传感器以二维阵列的方式定位在第三取样深度处。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,第三取样深度距离地面大于10.0米。

9.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

将参考碳氢化合物传感器定位在参考深度处,所述参考碳氢化合物传感器被配置成检测参考深度处的碳氢化合物。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述参考深度在勘探地理区域中的油气储层内。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,将第一取样深度处的碳氢化合物渗漏、第二取样深度处的碳氢化合物渗漏和第三取样深度处的碳氢化合物渗漏中的每一个与比第一取样深度、第二取样深度和第三取样深度深的参考深度处的碳氢化合物渗漏进行比较的步骤包括:

检测参考深度处的碳氢化合物渗漏。

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