[发明专利]处理衬底的设备、系统及方法

权利要求书

1.一种处理衬底的设备，其特征在于，包括：

提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及

气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室，且

其中气体出口系统包括通道，所述通道沿所述等离子体室的边缘延伸。

2.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述通道终止于所述提取板，且其中所述气体出口系统被配置成沿着所述等离子体束旁边将所述反应气体递送至所述衬底。

3.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述提取板包括提取开孔，所述提取开孔沿第一方向具有开孔宽度且沿垂直于所述第一方向的第二方向具有开孔长度，其中所述开孔宽度大于所述开孔长度，其中所述等离子体束为带状束，且其中所述气体出口系统包括多个气体孔口，其中所述多个气体孔口沿着所述第一方向沿所述提取开孔的一侧配置，且其中所述多个气体孔口中的一个气体孔口耦合至所述通道。

4.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述反应气体包含未离解气体。

5.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述反应气体包含极性分子。

6.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述反应气体包含甲醇。

7.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述反应气体包含吸附物质，所述吸附物质在衬底结构上形成吸附涂层。

8.根据权利要求1所述的处理衬底的设备，其中所述气体出口系统包括第一组出口及第二组出口，其中所述气体源耦合至所述第一组出口，所述处理衬底的设备还包括第二气体源，所述第二气体源耦合至所述第二组出口且被构造成将第二反应气体递送至所述衬底。

9.一种处理衬底的系统，其特征在于，包括：

等离子体室，容纳等离子体；

提取板，自所述等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及

气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室，且

其中气体出口系统包括通道，所述通道沿所述等离子体室的边缘延伸。

10.根据权利要求9所述的处理衬底的系统，其特征在于，所述提取板包括提取开孔，所述提取开孔沿第一方向具有开孔宽度且沿垂直于所述第一方向的第二方向具有开孔长度，其中所述开孔宽度大于所述开孔长度，其中所述等离子体束为带状束，所述系统还包括衬底支座，所述衬底支座被构造成沿所述第二方向扫描所述衬底。

11.根据权利要求10所述的处理衬底的系统，其中所述气体出口系统包括多个气体孔口，其中所述多个气体孔口沿着所述第一方向沿所述提取开孔的一侧配置，且其中所述多个气体孔口中的一个气体孔口耦合至所述通道。

12.根据权利要求9所述的处理衬底的系统，其中还包括控制系统，所述控制系统将至少一个系统参数自第一值改变至第二值，其中所述等离子体束在所述第一值处具有第一形状且在所述第二值处具有第二形状，并且其中所述至少一个系统参数包括：被施加至所述等离子体室的射频功率的位准、射频波形、所述等离子体束的提取电压、所述提取板的构造、或所述衬底与所述提取板之间的间隔。

13.根据权利要求9所述的处理衬底的系统，其中所述反应气体包含极性分子，且其中所述等离子体束包含惰性气体离子。