[发明专利]处理衬底的设备、系统及方法

说明书

本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。

技术领域

本发明实施例涉及电子装置加工技术，且更具体而言，涉及处理衬底的设备、系统及方法。

背景技术

随着集成装置继续按比例缩放至更小的尺寸，对特征进行图案化的能力变得愈发困难。这些困难一方面包括对特征进行蚀刻以保留图案或将图案转移至衬底中的能力。在许多装置应用中，经图案化特征可包括难以被蚀刻的金属层，所述金属层难以被蚀刻的原因是其金属不易利用已知的反应离子蚀刻或类似工艺而形成挥发性蚀刻产物。通过物理溅镀(sputtering)对金属层进行的蚀刻可能存在问题，原因在于给定金属层的经溅镀物质倾向于再沉积于衬底的非所需表面上，所述非所需表面包括所形成的装置特征的表面。此可致使例如柱或线等经图案化结构具有非垂直侧壁、且在蚀刻非挥发性金属下伏层时再沉积过多的材料。

就这些及其他考量而言，本发明的改进可为有用的。

发明内容

提供此发明内容来以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步阐述的一系列概念。此发明内容并非旨在识别所主张主题的关键特征或本质特征，所述发明内容也非旨在帮助确定所主张主题的范围。

在一个实施例中，一种用于处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。

在另一实施例中，一种用于处理衬底的系统可包括：等离子体室，容纳等离子体；提取板，自所述等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。

在另一实施例中，一种处理衬底的方法可包括：自等离子体提取等离子体束，其中所述等离子体束包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及将反应气体自气体源引导至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体。

附图说明

图1A示出本发明实施例的系统。

图1B示出图1A所示系统的一个实施例。

图1C示出图1B所示设备的实施例的平面图。

图1D示出根据各种实施例的加工设备及衬底的几何结构的细节。

图2A至图2D示出根据本发明实施例的衬底蚀刻的实例。

图3A及图3B提供结果，所述结果示出在蚀刻柱期间采用使用点化学的效果。

图4示出示例性工艺流程。

具体实施方式

现在将在下文中参照其中示出某些实施例的附图来更充分地阐述本发明实施例。本发明的主题可被实施为许多不同形式，而不应被视为仅限于本文中所述的实施例。提供这些实施例是为了使此公开内容将透彻及完整，并将向所属领域中的技术人员充分传达所述主题的范围。在各附图中，相同数字指代相同的元件。