[发明专利]银颗粒制造方法、银颗粒及银膏有效
申请号: | 201680043197.4 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN107848037B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 菅沼克昭;酒金婷 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人大阪大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B13/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;于洁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 颗粒 制造 方法 | ||
首先,将至少银化合物、还原剂及分散剂进行混合,获得混合液(S1)。接着,加热混合液,使银化合物与还原剂反应,生成第一银颗粒及第二银颗粒,其中,第一银颗粒呈片材状或板状;该第二银颗粒与第一银颗粒相比,形状近似球形或呈球形,并且,粒径小于第一银颗粒的边长的最大值(S2)。
技术领域
本发明涉及一种银颗粒制造方法、银颗粒及银膏。
背景技术
将银微米颗粒(粒径为微米数量级的银颗粒)分散于有机溶剂而得到的银膏逐渐被用作电子部件的接合材料及印刷配线的材料。银微米颗粒在银膏中发挥导体材料的作用。典型的有机溶剂是醇。然而,对仅含有银微米颗粒的银膏进行烧结(烧成),却需要250℃以上的高温及压力(加压)。因此,含有银微米颗粒的银膏不能够用于低耐热性的电子部件或配线基板。于是,近年来,从可以在低温下进行烧结方面考虑,逐渐使用银纳米颗粒(粒径是纳米数量级的银颗粒)来取代银微米颗粒。银纳米颗粒的制造方法例如有专利文献1中公开的方法。
〔专利文献〕
专利文献1:日本特开2010-265543号公报
发明内容
然而,球状的银纳米颗粒的敛集性(银颗粒的充填密度)却不充分。因此,使用仅含有球状银纳米颗粒的银膏,只能够实现低接合强度。
本发明鉴于上述技术问题,其第一个目的在于提供一种银颗粒制造方法,能够制造容易提高敛集性的银颗粒;并且,第二个目的在于提供一种容易提高敛集性的银颗粒;第三个目的在于提供一种银膏,其含有容易提高敛集性的银颗粒。
本发明的银颗粒制造方法包含:将至少银化合物、还原剂及分散剂进行混合,获得混合液的步骤;加热所述混合液,使所述银化合物与所述还原剂反应,生成第一银颗粒及第二银颗粒的步骤,该第一银颗粒呈片材状或板状,该第二银颗粒与所述第一银颗粒相比,形状近似球形或呈球形,并且,粒径小于所述第一银颗粒的边长的最大值。
一实施方式中,在保持所述混合液的液相的条件下,使所述银化合物与所述还原剂反应。
一实施方式中,所述还原剂是N,N-二甲基甲酰胺。
一实施方式中,所述混合液还包含纯水。
一实施方式中,在大气圧下使所述银化合物与所述还原剂反应。
本发明的银颗粒包含第一银颗粒和第二银颗粒,该第一银颗粒的外形为多角形,且呈片材状或板状;该第二银颗粒与所述第一银颗粒相比,形状近似球形或呈球形,并且粒径小于所述第一银颗粒的边长的最大值。所述第一银颗粒的边长的平均值为100nm以上800nm以下,所述第二银颗粒的粒径的平均值为10nm以上100nm以下。
一实施方式中,所述第一银颗粒的边长为10nm以上800nm以下。
一实施方式中,所述第一银颗粒的外形为三角形或六角形。
一实施方式中,外形呈三角形的所述第一银颗粒的边长的最大值为50nm以上。
一实施方式中,外形呈六角形的所述第一银颗粒的边长的最大值为30nm以上。
一实施方式中,所述第二银颗粒的粒径为20nm以上300nm以下。
一实施方式中,所述第二银颗粒的粒径为150nm以下。
一实施方式中,所述第一银颗粒的厚度为10nm以上100nm以下。
一实施方式中,所述第一银颗粒的厚度为30nm以下。
本发明的银膏包含通过上述制造方法制造的银颗粒或上述银颗粒。
〔发明效果〕
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