[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

半导体基体准备工序，准备具有pn结露出的露出面的半导体基体，所述pn结形成在第一导电型的第一半导体层与和所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层之间的接合部上，所述露出面由所述第一半导体层露出的第一露出区域和所述第二半导体层露出的第二露出区域构成；

前处理工序，仅对所述露出面中的所述第一露出区域进行疏水性处理，所述疏水性处理为仅将所述第一露出区域浸渍在疏水性处理溶液中；

掺杂物提供工序，向所述露出面中所述第一半导体层露出的第一露出区域提供第一导电型掺杂物；

沟道截断环形成工序，通过对所述第一露出区域进行激光照射，将所述第一导电型掺杂物导入至所述第一半导体层从而形成沟道截断环直至第一深度；以及

氧化膜形成工序，通过一定温度下热氧化处理形成氧化膜使其覆盖形成有所述沟道截断环的所述露出面，并且将所述沟道截断环的区域扩大至比所述第一深度更深的第二深度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述氧化膜形成工序中，在900℃以上的温度下进行所述热氧化处理90分钟。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在形成由玻璃组合物构成的层并使其覆盖所述氧化膜之后，包含通过对由所述玻璃组合物构成的层进行烧制从而形成玻璃层的玻璃层形成工序。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述玻璃组合物中实质上不含有Pb。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述玻璃组合物中实质上不含有As、Sb、Li、Na、K。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述玻璃组合物中至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、ZnO、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物，并且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述玻璃组合物中，

SiO₂的含有量在49.5mol％～64.3mol％范围内，

Al₂O₃的含有量在3.7mol％～14.8mol％范围内，

B₂O₃的含有量在8.4mol％～17.9mol％范围内，

ZnO的含有量在3.9mol％～14.2mol％范围内，

碱土类金属氧化物的含有量在7.4mol％～12.9mol％范围内。

8.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述玻璃组合物在50℃～550℃温度范围内的平均线膨胀率在3.33×10^-6～4.08×10^-6范围内。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述露出面为沟槽的内面，所述沟槽被形成为将所述第二半导体层分离成台面状后到达所述第一半导体层。

10.一种半导体装置，通过权利要求1至9中任意一项所述的半导体装置的制造方法来进行制造，其特征在于，包括：

具有所述露出面的半导体元件；

形成在所述半导体元件的所述第一露出区域上的所述沟道截断环；以及

形成为覆盖所述半导体元件的所述露出面的所述氧化膜。