[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

半导体装置的制造方法，包括：掺杂物提供工序，向pn结露出的露出面中n型半导体层露出的第一露出区域提供n型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对第一露出区域进行激光照射，将n型掺杂物导入至n型半导体层从而形成沟道截断环至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有沟道截断环的露出面，并且将沟道截断环的区域扩大至比第一深度更深的第二深度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

以往，关于形成为了使半导体装置高耐压化的沟道截断环(Channel stopper)，有一种被普遍认知制造方法是为：在被预先提供有第一导电型的掺杂物的状态下的沟槽的底面上进行激光(Laser)照射，从而将第一导电型的掺杂物导入至第一半导体层的内部(参照专利文献1)。在专利文献1的制造方法中，由于能够通过激光扫描来形成沟道截断环，因此就不再需要掩膜(Mask)形成工序。

【先行技术文献】

【专利文献1】特开2007-311655号公报

然而近几年来，对于半导体装置来说，诸如即便是在更高的温度环境下也能够确保正常运作这样的市场需求也在不断地提高。即，市场需要一种可靠性更高的半导体装置。

本发明鉴于上述课题，目的是提供一种：能够制造高可靠性的半导体装置的半导体装置的制造方法以及半导体装置。

发明内容

本发明的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：半导体基体准备工序，准备具有pn结露出的露出面的半导体基体，所述pn结形成在第一导电型的第一半导体层与和所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层之间的接合部上；掺杂物提供工序，向所述露出面中所述第一半导体层露出的所述第一露出区域提供第一导电型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对所述第一露出区域进行激光照射，将所述第一导电型掺杂物导入至所述第一半导体层从而形成沟道截断环直至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有所述沟道截断环的所述露出面，并且将所述沟道截断环的区域扩大至比所述第一深度更深的第二深度。

另外，本发明的一种形态所涉及的半导体装置是通过所述半导体装置的制造方法来进行制造的，其特征在于，包括：具有所述露出面的半导体元件；形成在所述半导体元件的所述第一露出区域上的所述沟道截断环；以及形成为覆盖所述半导体元件的所述露出面的所述氧化膜。

发明效果

根据本发明，在氧化膜形成工序中第一导电型掺杂物通过热处理在第一半导体层内扩散。即，能够在第一半导体层内扩大沟道截断环的区域。这样，即便是在更高的温度环境下，也能够抑制反向偏置施加状态时耗尽层的扩展。

通过这样，制造后的半导体装置就能够抑制漏电流的产生。因此，就能够使半导体装置正常运作。即，能够提供高可靠性的半导体装置。

简单附图说明

图1是第一实施方式所涉及的半导体装置的截面构成图。

图2是第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法说明图。

图3是第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法说明图。

图4是第一实施方式所涉及的半导体基体分割工序说明图。

图5是第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法说明图。

图6是第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法说明图。

图7是展示在沟道截断环形成工序后，露出面的深度方向与掺杂物浓度之间关系的图。

图8是展示在氧化膜形成工序前后的，露出面的深度方向与掺杂物浓度之间关系的图。

具体实施方式