[发明专利]采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元

说明书

一种SRAM单元包括第一反相器，所述第一反相器具有经由第一电阻器耦接到第二反相器的输入引线的输出引线。第二反相器的输出引线通过第二电阻器耦接到第一反相器输入引线。第一写位线经由第一开关耦接到第一反相器输入引线，第二写位线经由第二开关耦接到第二反相器输入引线。由于电阻器的原因，驱动写位线的电路在向单元写入数据时不必使反相器过负荷。单元是包括几列SRAM单元的阵列的一部分，每列耦接到一对写位线。谐振振荡器用正弦波驱动写位线。这减少了SRAM阵列消耗的功率。

相关申请的交叉引用：本申请要求于2015年7月27日提交的，标题为“A Low PowerSRAM Bitcell Using Resonant Drive Circuitry”的美国临时申请序列号62/282,215的优先权权益，其内容通过引用并入本文。

背景技术

本发明涉及集成电路，尤其涉及静态随机存取存储器(static random accessmemory，SRAM)电路。本发明还涉及用于在SRAM电路中存储数据的方法和电路。

存在两种通用型存储器电路：“易失性”和“非易失性”。易失性存储器在电路断电时丢失其所存储的信息，而非易失性存储器即使断开电源也保留其所存储的信息。在“易失性”存储器类别中，还有两种主要类型：“静态”随机存取存储器(或SRAM)和“动态”随机存取存储器(或DRAM)。一旦将数据写入到SRAM存储单元中，只要给电路供电就可以读取数据。相反，DRAM存储器单元需要不断的刷新，以使其数据保持可读取。如果在一段时间内没有进行刷新，则数据丢失，并且无法恢复。

描述SRAM单元的公开的示例包括：

1、Jianping Hu等人，“A Novel Low-Power Adiabatic SRAM with an Energy-Efficient Line Driver”，International Conference on Communications，Circuitsand Systems，2004年6月，第1151页(以下称“公开1”)。

2、Joohee Kim等人，“Energy Recovering Static Memory”，InternationalSymposium on Low Power Electronics and Design，2002年8月，第92页。

3、Jianping Hu等人，“Low Power Dual Transmission Gate Adiabatic LogicCircuits and Design of SRAM”，Midwestem Symposium on Circuits and Systems，2004年，第1-565页。

4、Nestoras Tzartzanis等人，“Energy Recovery for the Design of High-Speed,Low-Power Static RAMs”，Intemational Symposium on Low Power Electronicsand Design，1996年。

5、Joohee Kim等人，于2003年10月23日提交的标题为“Low-Power Driver withEnergy Recovery”的PCT专利申请WO 03/088459。

计算机集成电路芯片(或IC)通常具有嵌入在其中的SRAM，以便在本地存储数据并使该数据在将来的某个时间可用于处理。当与处理器通信时，此嵌入式存储器的运行速度比“片外”外部存储器快得多。一些计算机芯片(通常称为微处理器单元或MPU)仅具有嵌入式存储器(易失性和非易失性)。这些MPU芯片中的许多芯片被用于由电池供电的移动应用、可穿戴应用或可手术植入的应用中，由于成本和/或性能原因，功耗必须被最小化。