[发明专利]无削减信号包络地提升放大器增益

权利要求书

1.一种电路，包括：

差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子，所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子；

第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子；

第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子；

第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间；以及

第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间，

其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子被增大，其中C是所述电容器的电容并且C_par是所述第一晶体管的寄生电容。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。

9.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。

10.一种电路中的方法，包括：

在差分级的第一晶体管和第二晶体管的相应控制端子处接收第一输入信号和第二输入信号；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应输出端子处提供第一输出信号和第二输出信号；

使用第一偏置晶体管偏置所述第一晶体管；

使用第二偏置晶体管偏置所述第二晶体管；

使用电容性反馈网络在所述第一偏置晶体管的输出端子与所述第一偏置晶体管的控制端子之间提供反馈信号；以及

基于所述反馈信号，减小所述第一偏置晶体管的跨导和所述第二偏置晶体管的跨导以增大所述差分级的增益特性。

11.根据权利要求10所述的方法，所述电容性反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子被增大，其中C是所述电容器的电容并且C_par是所述第一晶体管的寄生电容。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电容器是可变电容器。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：从混频器电路接收所述第一输入信号和所述第二输入信号，并且向功率放大器提供所述第一输出信号和所述第二输出信号。