[发明专利]无削减信号包络地提升放大器增益有效
申请号: | 201680044459.9 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN107852138B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | A·P·乔施;G·拉简德兰 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 削减 信号 包络 提升 放大器 增益 | ||
所公开的是一种电路,其具有包括晶体管对的差分级。晶体管由相应的偏置晶体管偏置。每个偏置晶体管具有相应反馈网络,其被配置为减小偏置晶体管的跨导以增大差分级的增益。
本申请要求2015年9月17日提交的美国实用专利申请No.14/856,964和2015年7月30日提交的印度专利申请No.3920/CHE/2015的权益,其内容以它们的整体通过引用并入本文用于所有目的。
背景技术
差分放大器被用来放大两个输入信号之间的差分电压。一些常规设计提供有限的能力。例如,一些差分放大器设计可能具有有限的线性操作范围。作为结果,线性输出可能仅对于具有窄范围输入电压的输入信号才是可实现的。具有变化包络的输入信号可能引起峰值输出信号的削减,这可能导致非线性输出(失真)。失真可能产生带外发射,其可能干扰其他电子电路。包括差分放大器的一些组件中的失配也可能造成线性度误差并且使信号增益降级。
发明内容
根据本公开的各方面,一种电路可以包括差分级,差分级包括第一晶体管和第二晶体管。该电路可以进一步包括具有电连接到第一晶体管的控制端子的输出端子的第一偏置晶体管、以及具有电连接到第二晶体管的控制端子的输出端子的第二偏置晶体管。第一反馈网络可以电连接在第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间,并且类似地,第二反馈网络可以电连接在第二偏置晶体管的控制端子与输出端子之间。
在一些方面中,第一和第二反馈网络可以改变第一和第二偏置晶体管的相应跨导。在一些方面中,第一和第二反馈网络可以减小第一和第二偏置晶体管的相应跨导。
在一些方面中,第一和第二晶体管可以是NPN晶体管,其中第一和第二晶体管的输出端子是第一和第二晶体管的源极端子。
在一些方面中,第一和第二反馈网络每个可以包括电容性反馈电路。电容性反馈电路可以包括可变电容器。
在一些方面中,第一反馈网络可以包括第一偏置晶体管的寄生电容,并且第二反馈网络包括第二偏置晶体管的寄生电容。
在一些方面中,第一反馈网络可以包括电连接在第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器。第一晶体管的阻抗可以以因子被增大,其中C是电容器的电容并且Cpar是第一晶体管的寄生电容。
在一些方面中,该电路可以进一步包括电连接到第一和第二差分输入的混频器电路、以及电连接到第一和第二差分输出的功率放大器。
在一些方面中,该电路可以进一步包括用以设置第一晶体管的DC操作点的第一电流源和用以设置第二晶体管的DC操作点的第二电流源。
根据本公开的各方面,一种电路中的方法可以包括:在差分级的第一和第二晶体管的相应控制端子处接收第一和第二输入信号,并且在第一和第二晶体管的相应输出端子处提供第一和第二输出信号。该方法可以进一步包括:使用第一偏置晶体管偏置第一晶体管,并且使用第二偏置晶体管偏置第二晶体管。该方法可以进一步包括:减小第一偏置晶体管的跨导和第二偏置晶体管的跨导以增大差分级的增益特性。
在一些方面中,减小第一偏置晶体管的跨导可以包括:在第一偏置晶体管的输出端子与第一偏置晶体管的控制端子之间提供反馈信号。
在一些方面中,该方法可以进一步包括:使用电容性反馈网络来生成反馈信号。
在一些方面中,减小第一偏置晶体管的跨导可以包括:在包括电容器的反馈网络之间提供反馈信号,电容器电连接在第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间,其中第一偏置晶体管的阻抗以因子被增大,其中C是电容器的电容并且Cpar是第一晶体管的寄生电容。电容器可以是可变电容器。
在一些方面中,该方法可以进一步包括:从混频器电路接收第一和第二输入信号并且向功率放大器提供第一和第二输出信号。
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