[发明专利]膏状组合物

说明书

本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

技术领域

本发明涉及一种用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。

背景技术

以往，作为在本征半导体基板或p型半导体基板上形成n层、以及在n型半导体基板上形成n+层的手段，提出了将磷用作n型掺杂剂的方法。具体而言，已知：在三氯氧磷、氮、氧的混合气体氛围下，例如于 800～900℃下处理数十分钟的方法(例如，参考专利文献1等)；或者利用包含五氧化磷等磷酸盐的溶液来形成n型扩散层的方法(例如，参考专利文献2等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/024297号

专利文献2：日本特开2002-75894号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，关于如上所述的专利文献所公开的所述方法，由于形成n层需要长时间的热处理，而且由于为分批处理，因此存在生产率差、需要过量的能量的问题。除了像这样的生产上的技术问题以外，上述的各专利文献中公开的技术还存在难以形成n层中的特别是磷浓度高的层、即难以形成n+层的技术问题，难以效率良好地形成n+层。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。

解决技术问题的技术手段

本申请的发明人为了达成上述目的反复进行了深入研究，其结果发现通过在膏状组合物中以特定的量含有特定的掺杂元素，能够达成上述目的，从而完成了本发明。

即，本发明例如包含以下的项中所记载的主题。

项1.一种膏状组合物，其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物，

其含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，

所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，

相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

发明效果

通过使用本发明涉及的膏状组合物，能够以简易的工序且在短时间内在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层。

附图说明

图1是表示使用膏状组合物以在半导体基板上形成扩散层的过程的一个例子的说明图。

图2是表示使用膏状组合物以在半导体基板上形成扩散层的过程的其他例子的说明图。

图3是表示利用二次离子质谱(SIMS)，对比较例1、实施例2及实施例5中所得到的基板样品进行了表面层的元素分布分析的结果的图表。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细地说明。

本实施方式涉及的膏状组合物是用于涂布在半导体基板上从而形成覆膜的材料。