[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

支承基板，包含硅；

压电膜，直接或间接设置在所述支承基板上；以及

IDT电极，设置在所述压电膜的一个面，

在所述压电膜中传播的高阶模式的声速设为与下述的式(1)的声速V_Si相同，或者与所述声速V_Si相比为高速，

V_Si＝(V₁)^1/2…式(1)

其中，V_Si的单位为m/秒，

所述式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解，

Ax³+Bx²+Cx+D＝0…式(2)

在所述式(2)中，所述A、B、C以及D分别是用下述的式(2A)～(2D)表示的值，

A＝-ρ³…式(2A)

B＝ρ²(L₁₁+L₂₂+L₃₃)…式(2B)

C＝ρ(L₂₁²+L₂₃²+L₃₁²-L₁₁·L₃₃-L₂₂·L₃₃-L₁₁·L₂₂)…式(2C)

D＝2·L₂₁·L₂₃·L₃₁+L₁₁·L₂₂·L₃₃-L₃₁²·L₂₂-L₁₁·L₂₃²-L₂₁²·L₃₃

…式(2D)

其中，在所述式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，所述ρ表示硅的密度，单位为g/cm³，此外，所述L₁₁、L₂₂、L₃₃、L₂₁、L₃₁以及L₂₃是用下述的式(3A)～(3F)表示的值，

L₁₁＝c₁₁·a₁²+c₄₄·a₂²+c₄₄·a₃²…式(3A)

L₂₂＝c₄₄·a₁²+c₁₁·a₂²+c₄₄·a₃²…式(3B)

L₃₃＝c₄₄·a₁²+c₄₄·a₂²+c₁₁·a₃²…式(3C)

L₂₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₂·a₁…式(3D)

L₃₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₁·a₃…式(3E)

L₂₃＝(c₄₄+c₁₂)·a₃·a₂…式(3F)

其中，在所述式(3A)～(3F)中，所述c₁₁、c₁₂、c₄₄分别是硅的弹性常数，单位为N/m²，所述a₁、a₂以及a₃是用下述的式(4A)～(4C)表示的值，

a₃＝sin(θ)·sin(ψ)…式(4C)

另外，所述式(4A)～(4C)中的所述θ以及ψ是硅的晶体取向(θ，ψ)中的θ、ψ。