[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

说明书

本发明提供一种能够有效地抑制高阶模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，包含硅；压电膜(4)，直接或间接设置在支承基板(2)上；以及IDT电极(5)，设置在压电膜(4)的一个面。在压电膜(4)中传播的高阶模式的声速设为与由从下述的式(2)导出的x的解V₁、V₂、V₃中的V₁规定的、在硅中传播的声速V_si＝(V₁)^1/2相同，或者与声速V_si相比为高速，Ax³+Bx²+Cx+D＝0…式(2)。

技术领域

本发明涉及使用了包含硅的支承基板的弹性波装置以及使用了该弹性波装置的高频前端电路和通信装置。

背景技术

以往，提出了各种将硅板用作支承基板的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1中，公开了在硅基板上依次层叠SiO₂膜、LiTaO₃膜以及IDT电极而成的弹性波装置。在专利文献1中，在将弹性波的波长设为λ时，LiTaO₃膜的膜厚设为大约1λ左右。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-55070号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所记载的弹性波装置中，根据硅基板的晶体取向的状态，有时基于高阶模式的响应会比较大。

本发明的目的在于，提供一种能够有效地抑制高阶模式的响应的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。

用于解决课题的技术方案

本发明涉及的弹性波装置是如下的弹性波装置，即，具备：包含硅的支承基板；直接或间接设置在所述支承基板上的压电膜；以及设置在所述压电膜的一个面的IDT电极，在所述压电膜中传播的高阶模式的声速设为与下述的式(1)的声速V_Si相同，或者与所述声速V_Si相比为高速。

V_Si＝(V₁)^1/2(m/秒)…式(1)

所述式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解。

Ax³+Bx²+Cx+D＝0…式(2)

在所述式(2)中，所述A、B、C以及D分别是用下述的式(2A)～(2D)表示的值。

A＝-ρ³…式(2A)

B＝ρ²(L₁₁+L₂₂+L₃₃)…式(2B)

C＝ρ(L₂₁²+L₂₃²+L₃₁²-L₁₁·L₃₃-L₂₂·L₃₃-L₁₁·L₂₂)…式(2C)