[发明专利]相对于气流的镭射扫描定序及方向

说明书

使用相对于主要气流方向(25)斜向且与该主要气流方向对抵的镭射扫描方向(20)平衡藉由镭射扫描做出的正交划线(26)的品质及波纹特性。用来形成宽于划线(26)的宽度的特征的多遍扫描的定位及序列可经控制来增强特征的边缘的品质及波纹特性。

相关申请案的交互参照

本申请案为2015年8月26日申请的美国临时专利申请案第62/210,193号的非临时申请案，该美国临时专利申请案的内容以引用方式整体并入本文以用于所有目的。

版权声明

2016Electro Scientific Industries,Inc。本专利文件的揭示内容的一部分含有受版权保护的材料。版权所有者不反对任何人传真复制本专利文件或专利揭示内容，如同其出现在专利商标局专利档案或记录中一般，但在其他方面保留所有版权权利。37CFR§1.71(d)。

技术领域

本申请案关于用于镭射扫描的系统及方法，且尤其是关于用于相对于气流的方向或相对于扫描定序的镭射扫描方向控制的系统及方法。

背景技术

诸如电晶体、二极管、发光二极管、MEMS装置、平面波导结构及集成电路的大多数半导体及有关产品是以同时制造于诸如晶圆的大工件上的大量元件的形式加以制造。此晶圆通常由Si、GaAs、GaP、InP、蓝宝石，或其他材料，或上述各者的组合组成。装置的创造最通常使用诸如光刻法、氧化、植入、沉积、蚀刻、外延生长和/或旋转涂布的熟知制造技术来进行。在此等装置装载的晶圆完成时，独立装置必须经切单，通常被称为「划割」的制程。独立装置被称为「晶粒」或「晶片」。晶圆上介于邻接晶粒的主动部件之间的区域被称为「迹道(street)」或「晶片道」。迹道由于在划割制程期间移除或毁坏的晶圆材料而限于极小迹道宽度。完全由划割制程移除的晶圆区域可被称为「切口区域」或「锯口」，而其余迹道必须适应围绕切口区域的任何损坏区带及切口的任何未对准或直度偏差。

历史上，已藉由晶圆锯的使用或藉由「划线及断裂」的技术进行划割，其中晶圆通常由钻石尖刻口，且随后沿此划线分裂。由于划线及断裂的诸如低产率的问题，划割锯变成用于划割晶圆的主要工具。熟知的切片刀锋通常具有沿该多个切片刀锋的切割轴的约50至200μm的窄尺寸，且产生比刀锋更宽的切口。切片刀锋当前需要为如此宽的，以例如经得起藉由熟知晶圆的强度及厚度制作直切口的应力。藉由机械切割刀锋制作的宽切口显著地降低可装配至每一晶圆上的晶粒的列及行数目。

对降低切口区域的希望导致镭射在划割制程中的使用研究。由于潜在地极小的切口宽度及镭射至工件的精确对准的可能性，镭射提供可利用的最小迹道宽度的潜力。因此，镭射锯切为对用于划割的熟知技术的具有引力的替代方案。然而，晶圆材料的镭射分离比藉由刀锋进行慢得多，因此迹道大小通常保持足够大，以适应划割刀锋的宽度，此可被用作在镭射划线形成之后的第二步骤。开发许多此等混合镭射及晶片刀锋制程；然而，迹道宽度仍保持相对大的。美国专利第RE 43,400号论述使用镭射来分离装置装载工件的优点。

镭射参数及处理技术的进步已减少在不使用机械锯(诸如晶片刀锋)的情况下分离晶圆材料的通量时间及成本。然而，可进一步改良镭射划割制程。

发明内容

提供此概述来以简化形式介绍稍后在详细描述中进一步描述的概念选择。此概述不意欲识别所请求标的的关键或本质发明概念，亦不意欲判定所请求标的的范畴。