[发明专利]绝缘材料、电子器件和成像装置有效
申请号: | 201680047400.5 | 申请日: | 2016-06-20 |
公开(公告)号: | CN107924930B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 森胁俊贵;市村真理 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L33/44;H01L51/42;H04N5/369;H01L21/28;H01L21/316 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘材料 电子器件 成像 装置 | ||
1.一种电子器件,其包括第一电极、形成在所述第一电极上的光发射/光接收层和形成在所述光发射/光接收层上的第二电极,
其中,所述光发射/光接收层和/或所述第二电极被含有金属氧化物的绝缘层覆盖,所述金属氧化物含有主组分和副组分,所述主组分为氧化锌,并且所述副组分为从由氧化铝、氧化镁、氧化铌、氧化钛、氧化钼和氧化铪组成的组中选出的至少两种材料,
其中,所述绝缘层的折射率是1.9至2.2。
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中,以金属原子为基准,所述副组分的含量是5至30原子%。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述副组分包括氧化铝和氧化镁。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述绝缘层在所述第二电极上的厚度是5×10-8至7×10-7m。
5.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述绝缘层内的内应力的绝对值不大于50MPa。
6.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述绝缘层是透明的和非晶的。
7.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述绝缘层对于波长为400至660nm的光的光透过率不小于80%。
8.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述第二电极对于波长为400至660nm的光的光透过率不小于75%。
9.根据权利要求1或2所述的电子器件,其中,所述光发射/光接收层包含有机光电转换材料。
10.根据权利要求9所述的电子器件,包含光电转换元件。
11.一种成像装置,其包括根据权利要求1至10中任一项所述的电子器件。
12.一种绝缘材料,其含有金属氧化物,所述金属氧化物含有主组分和副组分,所述主组分为氧化锌,并且所述副组分为从由氧化铝、氧化镁、氧化铌、氧化钛、氧化钼和氧化铪组成的组中选出的至少两种材料,
其中,所述绝缘材料的折射率是1.9至2.2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的