[发明专利]绝缘材料、电子器件和成像装置

说明书

本发明涉及：绝缘材料；设置有由该绝缘材料形成的绝缘层的电子器件；以及装有该电子器件的成像装置。本发明的目的是提供：能够通过合理的方法或通过低温处理制造的电子器件；装有该电子器件的成像装置；以及绝缘材料。该电子器件设置有：第一电极31；形成在第一电极31上的光发射/光接收层20；和形成在光发射/光接收层20上的第二电极32。光发射/光接收层20和/或第二电极32被由金属氧化物形成的绝缘层40覆盖，该金属氧化物含有作为主组分的氧化锌且含有作为副组分的从由氧化铝、氧化镁、氧化铌、氧化钛、氧化钼和氧化铪组成的组中选出的至少两种材料。

技术领域

本发明涉及绝缘材料、电子器件和成像装置，该电子器件包括含有 该绝缘材料的绝缘层，该成像装置中装有该电子器件。

背景技术

包括有诸如图像传感器等光电转换元件的电子器件例如通过堆叠第 一电极、光发射/光接收层(其构成光电转换部)和第二电极而构成。第 二电极是透明电极。电子被一侧的电极捕获而空穴被另一侧的电极捕获， 以读取光电电流。已知的是，在光发射/光接收层例如含有有机材料的情 况下，光发射/光接收层因水分或氧等而劣化。因此，第二电极等被起到 保护层作用的绝缘层覆盖，从而抑制光发射/光接收层劣化(例如，参见 JP 2013-118363A)。

引用列表

专利文献

专利文献1：JP 2013-118363A

发明内容

本发明要解决的技术问题

与此同时，在上述专利文献公开的技术中，绝缘层包括根据气相生 长法而形成氮氧化硅层这一单层或氮氧化硅层(上层)/氧化铝层(下层) 等两层结构。此外，第二电极(对电极)含有金属、金属氧化物、金属 氮化物、金属硼化物、有机导电化合物或它们的混合物等。除此以外， 必须的是，第二电极的形成和绝缘层的形成应根据不同的工艺来实施。 因此，第二电极的形成和绝缘层的形成无法基于一系列工序来实施，使 得电子器件不能通过更合理的方法来制造。此外，绝缘层例如根据诸如 等离子CVD法和ALCVD法等原子层沉积法而形成，这种情况下的成膜 温度是150℃至250℃或100℃至200℃。

因此，本发明的目的是提出一种能够通过更合理的方法或通过更低 温度的工艺制造而成的电子器件、装有该电子器件的成像装置以及绝缘 材料。

技术问题的解决方案

用于实现上文目的的本发明的电子器件包括第一电极、形成在该第 一电极上的光发射/光接收层和形成在该光发射/光接收层上的第二电极， 其中，光发射/光接收层和/或第二电极被含有金属氧化物的绝缘层覆盖， 该金属氧化物含有作为主组分的氧化锌且含有作为副组分的从由氧化 铝、氧化镁、氧化铌、氧化钛、氧化钼和氧化铪组成的组中选出的至少 两种材料。

用于实现上文目的的本发明的成像装置包括本发明的上述的电子器 件。

用于实现上文目的的本发明的绝缘材料含有金属氧化物，该金属氧 化物含有作为主组分的氧化锌且含有作为副组分的从由氧化铝、氧化镁、 氧化铌、氧化钛、氧化钼和氧化铪组成的组中选出的至少两种材料。

本发明的有益效果

在本发明的电子器件和构成本发明的成像装置的电子器件中(以下， 可以被统称为“本发明的电子器件等”)且在本发明的绝缘材料中，规定 了含有作为主组分的氧化锌且含有作为副组分的氧化铝、氧化镁等的材 料，且因此，电子器件能够通过更合理的方法且通过更低温度的工艺来 制造。注意，这里所述的效果仅是示例性的而不是限制性的，且可以存 在额外的效果。

附图说明

图1A和图1B是实施例1的电子器件的在其制造过程中的示意性局 部截面图和实施例1的电子器件的示意性局部截面图，且图1C是实施例 1的电子器件的变型例的示意性局部截面图。