[发明专利]自定向计量和图案分类

说明书

本发明提供用于确定将对样本执行的过程的参数的方法及系统。一种系统包含经配置用于确定在样本上检测到的缺陷的区域的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统还经配置用于将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联且基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系。另外，所述计算机子系统经配置用于基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用测量子系统测量的所关注区。

技术领域

本发明大体上涉及用于准确特性化包含(但不限于)局部临界尺寸(CD)改变、线或空间宽度改变及曲率的图案形态学的自动化图案计量位点放置及优化。某些实施例涉及用于确定将对样本执行的计量过程的一或多个参数的方法及系统。

背景技术

下列描述及实例不凭借其包含于此章节中而被视为现有技术。

在半导体制造过程期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以驱动制造过程中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得更加重要，这些因为更小缺陷可导致装置故障。

缺陷复检通常涉及再检测由检验过程检测为缺陷的缺陷且使用高放大率光学系统或扫描式电子显微镜(SEM)以按更高分辨率产生关于缺陷的额外信息。因此，在晶片上的离散位置(其中已由检验检测缺陷)处执行缺陷复检。由缺陷复检产生的缺陷的更高分辨率数据更适用于确定缺陷的属性(例如轮廓、粗糙度、更准确大小信息等)。由于针对由检验在晶片上检测的缺陷执行缺陷复检，所以可基于由检验过程确定的缺陷属性确定用于经检测缺陷的位置处的缺陷复检的参数。然而，用于经检测缺陷的位置处的缺陷复检的输出获取参数(例如，光学、电子束等参数)通常不基于关于缺陷位置中或附近的设计的部分的信息加以确定，这些因为此信息通常与在缺陷复检期间针对所检测缺陷执行的输出获取功能无关。

在半导体制造过程期间的各种步骤中也使用计量过程来监测且控制工艺。计量过程与检验过程不同之处在于，不同于其中在晶片上检测缺陷的检验过程，计量过程用于测量无法使用当前所使用的检验工具确定的晶片的一或多个特性。举例来说，计量过程用于测量晶片的一或多个特性(例如在工艺期间形成于所述晶片上的特征的尺寸(例如，线宽、厚度等))，使得可从所述一或多个特性确定工艺的性能。另外，如果晶片的一或多个特性是不可接受的(例如，在所述特性的预定范围之外)，那么可使用所述晶片的一或多个特性的测量以更改工艺的一或多个参数，使得由所述工艺制造的额外晶片具有可接受特性。

计量过程与缺陷复检过程不同之处也在于，不同于其中在缺陷复检中再访问由检验检测的缺陷的缺陷复检过程，计量过程可在未检测到缺陷的位置处执行。换句话来说，不同于缺陷复检，在晶片上执行计量过程的位置可独立于对晶片执行的检验过程的结果。特定来说，可独立于检验结果选择执行计量过程的位置。另外，由于可独立于检验结果选择在晶片上执行计量的位置，所以不同于在晶片的检验结果产生且可用于使用之前无法确定晶片上待执行缺陷复检的位置的缺陷复检，可在已对晶片执行检验过程之前确定执行计量过程的位置。

用于实施计量过程的当前方法具有数个缺点。举例来说，使用SEM的图案计量(包含(例如)临界尺寸(CD)及重叠测量)的常规配方设置需要待测量位置的先验知识。另外，常规配方设置过程通常包含设计的使用。此外，如果发现用户希望测量一次或持续测量的新所关注图案(POI)，那么需要更新计量工具配方。

因此，开发不具有上述缺点的一或多者的用于确定将对样本执行的计量过程的一或多个参数的系统及方法将为有利的。

发明内容

各种实施例的下列描述不应以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。