[发明专利]层叠体

权利要求书

1.一种层叠体，其包括：

多个晶体管；

第一基板；和

第二基板，所述第二基板与所述第一基板层叠且电连接至所述第一基板，

其中，所述多个晶体管中的将以作为最低电压的第一驱动电压驱动的第一晶体管仅设置在所述第一基板和所述第二基板中的所述第一基板中，以形成第一电路。

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，第二电路形成在所述第二基板中，所述第二电路包括所述多个晶体管中的将以比所述第一驱动电压更高的第二驱动电压驱动的第二晶体管。

3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述第一电路还包括将以高于所述第一驱动电压且低于所述第二驱动电压的第三驱动电压驱动的第三晶体管。

4.根据权利要求2所述的层叠体，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管均包括栅极电极、一对源极-漏极电极、形成沟道的半导体膜以及设置在所述栅极电极和所述半导体膜之间的栅极绝缘膜，且

所述第二晶体管中的所述栅极绝缘膜的厚度厚于所述第一晶体管中的所述栅极绝缘膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一晶体管的半导体层包括硅(Si)、锗(Ge)、化合物半导体和石墨烯中的一者。

6.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一晶体管是全耗尽型晶体管、T-FET和使用高介电常数膜/金属栅极(高K/金属栅极)技术的晶体管中的一种或多种。

7.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述第一电路是逻辑电路，且所述第二电路是模拟电路。

8.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一基板和所述第二基板通过表面接合或贯通电极来彼此电连接。

9.根据权利要求1所述的层叠体，其中，具有允许在多个频带进行发射和接收的通信功能的一个或多个电路安装在所述第二基板中。

10.根据权利要求9所述的层叠体，其中，具有允许在多个频带进行发射和接收的通信功能的所述电路包括：包含收发开关和功率放大器的RF前端单元，和包含低噪放大器和收发混频器的RF-IC单元。

11.根据权利要求10所述的层叠体，其中，在所述RF前端单元和所述RF-IC单元包括具有第三晶体管的第三电路的情况下，所述第三电路设置在所述第一基板中，并且所述第三晶体管的驱动电压低于设置在所述第二基板中的第二晶体管的驱动电压且高于所述第一晶体管的驱动电压。

12.根据权利要求1所述的层叠体，其中，至少具有图像传感器功能的电路、具有温度传感器功能的电路、具有重力传感器功能的电路和具有位置传感器功能的电路安装在所述第二基板中。

13.根据权利要求1所述的层叠体，其中，

一种或多种类型接口标准的电路安装在所述第二基板中，且

所述接口标准是MIPI，所述MIPI包括数字控制器和PHY单元，且所述数字控制器和所述PHY单元分别安装在所述第一基板和所述第二基板中。

14.根据权利要求1所述的层叠体，其中，包括有逻辑电路、模拟电路和像素单元，所述模拟电路安装在所述第二基板中，所述逻辑电路安装在所述第一基板中，所述像素单元安装在第三基板中。

15.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述第二基板包括核心基板，所述第二晶体管形成在所述核心基板的第一面侧，功能元件形成在与所述第一面面对的第二面侧，且所述功能元件是电感器、电容器、非易失性元件和天线中的一种或多种。

16.根据权利要求15所述的层叠体，其中，屏蔽结构被包括在所述第一基板和所述功能元件之间，所述屏蔽结构是设置在所述第二基板的所述核心基板的所述第二面上的凹凸结构或所述屏蔽结构是包括磁性材料的屏蔽层。

17.根据权利要求15所述的层叠体，其中，

所述第二基板包括含有收发开关和功率放大器的RF前端单元，且

所述天线设置在与所述RF前端单元面对的位置。