[发明专利]包括脉宽调制输出的热传感器

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

节点，用于接收地电位；

第一二极管，包括耦合至所述节点的阳极；

第二二极管，包括耦合至所述节点的阳极；

第一电路，用于向所述第一二极管和所述第二二极管中的每一个的阴极施加电压以便交替地使所述第一二极管和所述第二二极管处于正向偏置状况，其中，所述第一电路包括电容器，并且所述第一电路被布置成：

当所述电容器的第二极板耦合至所述节点时，对所述电容器的第一极板进行充电；以及

使所述第二极板与所述节点解耦，并且将所述第一极板耦合至所述节点以便生成向所述第一二极管和所述第二二极管之一的阴极施加的所述电压；以及

第二电路，用于生成具有占空比的信号，所述占空比基于跨所述第一二极管的第一电压和跨所述第二二极管的第二电压，其中，所述占空比能够用于提取温度信息。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括：温度计算器，用于基于所述信号的所述占空比来计算温度值。

3.如权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一二极管和所述第二二极管被布置成利用不同电流密度而被偏置。

4.如权利要求1所述的装置，其中，所述电容器被充电达一时间量，直到所述第一极板达到参考电压，并且所述信号的所述占空比基于所述时间量。

5.一种电子装置，包括：

节点，用于接收地电位；

第一二极管，包括耦合至所述节点的阳极；

第二二极管，包括耦合至所述节点的阳极；

第一电路，用于向所述第一二极管和所述第二二极管中的每一个的阴极施加电压以便交替地使所述第一二极管和所述第二二极管处于正向偏置状况，其中，所述第一电路包括：

第一电容器，耦合至所述第一二极管；

第二电容器，耦合至所述第二二极管；以及

第二电路，用于生成具有占空比的信号，所述占空比基于跨所述第一二极管的第一电压和跨所述第二二极管的第二电压，其中，所述占空比能够用于提取温度信息。

6.如权利要求5所述的装置，其中，所述第一电路包括：

第一p沟道晶体管，耦合在所述第一电容器与所述节点之间；以及

第二p沟道晶体管，耦合在所述第二电容器与所述节点之间。

7.如权利要求6所述的装置，其中，所述第一p沟道晶体管的栅极耦合至所述第二二极管的所述阴极，并且所述第二p沟道晶体管的栅极耦合至所述第一二极管的所述阴极。

8.如权利要求7所述的装置，其中，所述第一电路包括第一附加电容器和第二附加电容器，所述第一附加电容器耦合至所述第一p沟道晶体管的栅极，并且所述第二附加电容器耦合至所述第二p沟道晶体管的栅极。

9.一种电子装置，包括：

第一材料；

第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管中的每一个都包括由所述第一材料的一部分以及第二材料的一部分形成的p-n结；

第一电路，用于生成负电压，并且向所述第一二极管和所述第二二极管施加所述负电压以便交替地使所述第一二极管和所述第二二极管处于正向偏置状况，其中，所述第一电路包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器耦合至所述第一二极管并且所述第二电容器耦合至所述第二二极管；以及

第二电路，用于生成具有占空比的信号，所述占空比基于跨所述第一二极管的第一电压和跨所述第二二极管的第二电压，其中，所述占空比能够用于提取温度信息。

10.如权利要求9所述的装置，其中，所述第一材料被包括在衬底中，并且所述第二材料是形成于所述衬底中的n阱的一部分。

11.如权利要求9所述的装置，其中，所述第一二极管和所述第二二极管具有不同于一的尺寸比。