[发明专利]包括脉宽调制输出的热传感器有效
申请号: | 201680049294.4 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN107923800B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | M·埃伯莱因 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01;G01D5/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李炜;黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 脉宽调制 输出 传感器 | ||
一些实施例包括具有以下各项的装置和方法:节点,用于接收地电位;第一二极管,包括耦合至所述节点的阳极;第二二极管,包括耦合至所述节点的阳极;第一电路,用于向所述第一二极管和所述第二二极管中每一个的阴极施加电压以使所述第一二极管和所述第二二极管处于正向偏置状况;以及第二电路,用于生成具有一定占空比的信号,所述占空比基于跨所述第一二极管的第一电压和跨所述第二二极管的第二电压。这种实施例中的至少一个包括温度计算器,所述温度计算器用于至少部分地基于所述信号的所述占空比来计算温度值。
本专利申请要求2015年9月25日提交的美国申请序列号14/865,490的优先权权益,所述美国申请通过引用以其全文结合在此。
技术领域
本文所描述的实施例涉及热管理电子系统。一些实施例涉及热传感器。
背景技术
许多电子设备和系统(比如计算机、网络设备、平板计算机和蜂窝电话)具有用于监控设备或系统的温度的热传感器。为了精确地测量温度,这种设备或系统中的常规热传感器通常依赖于寄生PNP部件(例如,寄生PNP双极型晶体管)。然而,在一些制造技术中,这种PNP部件的质量可能由于如PNP部件中的结(例如,发射极-基极结)中的微缺陷等因素而极大地下降。进一步地,为了满足特定测量准确度,一些常规热传感器可能需要针对感测调整而进行多点微调。此外,在一些制造工艺中,用于形成设备中的这种PNP部件的选项可能是有限的或者可能是不存在的。因此,至少出于本文提及的原因,设计一些常规设备中的热传感器可能提出挑战。
附图说明
图1示出了根据本文所描述的一些实施例的包括热传感器的装置。
图2示出了根据本文所描述的一些实施例的图1的装置的一部分的横截面,所述横截面包括所述装置的集成电路(IC)管芯的一部分的横截面。
图3示出了根据本文所描述的一些实施例的热传感器的示意图。
图4A示出了根据本文所描述的一些实施例的图3的热传感器中的电容器的顶部极板和底部极板上的电压在电容器的充电和放电阶段期间的波形,以及控制图3的热传感器中的开关的信号的波形。
图4B示出了根据本文所描述的一些实施例的图3的热传感器中的附加电容器的顶部极板和底部极板上的电压在附加电容器的充电和放电阶段期间的波形,以及控制图3的热传感器中的另一个开关的信号的波形。
图5示出了根据本文所描述的一些实施例的可以是图3的热传感器的变化形式的另一个热传感器的示意图。
具体实施方式
图1示出了根据本文所描述的一些实施例的包括热传感器103的装置100。装置100可以包括如计算机(例如,台式计算机、膝上型计算机或笔记本计算机)、平板计算机、蜂窝电话、可穿戴电子设备(例如,智能手表)或其他电子设备或系统等电子设备或系统,或者可以包括其中。
如在图1中所示的,装置100可以包括IC封装体104,所述IC封装体可以包括IC管芯(例如,芯片)105。IC管芯105可以包括半导体IC管芯(例如,硅IC管芯)。热传感器103可以包括在IC管芯105中(例如,形成在其中或其上)。装置100可以包括片上系统(SoC)或包括在其中,使得热传感器103可以包括(例如,集成)在SoC中。为了帮助集中于本文所描述的实施例,图1中所示的元件未被缩放。
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