[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201680049532.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107924957A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 宋怡潇;钱谷嘉高;小林正道 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飞亚,习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
第一导电型或是第二导电型的半导体基板;
所述半导体基板上的非晶硅膜;
所述非晶硅膜上的电极,
所述非晶硅膜的所述电极侧的区域以及所述电极含有银、以及银以外的金属。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述银以外的金属,可以从由铝、钛、铜、钯、铬、镓、钕和镍构成的集合中选择至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述区域的厚度在10nm以下。
4.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述非晶硅膜的厚度在5nm以上。
5.一种太阳能电池制造方法,其特征在于,包括以下工序:
在第一导电型或是第二导电型的半导体基板上形成非晶硅膜的工序;
在所述非晶硅膜上,形成含有银以及银以外的金属的金属膜的工序;以及,
通过加热所述金属膜形成所述非晶硅膜上的电极的同时,在所述非晶硅膜的所述电极侧,形成包含银及银以外的金属的区域的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的