[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201680049532.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107924957A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 宋怡潇;钱谷嘉高;小林正道 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飞亚,习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
技术领域
本申请针对于在2015年9月9日申请的专利申请2015-177580号主张优先权的利益,通过参考该专利,将其全部内容包含于本申请中。
本发明是关于太阳能电池及太阳能电池的制造方法。
背景技术
近年来,尤其是从地球环境问题的观点,将太阳能直接转换成电能的太阳能电池,作为下一代能源的期望急速提升。
例如,特开2015-060847号公报(专利文献1)中公开了一导电型的结晶硅基板的第一主面上依次层叠本征非晶硅膜、其他导电型的第一非晶硅膜、受光面电极层及指状电极,第二主面上依次层叠本征非晶硅膜、一导电型的第二非晶硅膜、接触层、镁掺杂氧化锌层及背面电极层。在此,受光面电极层与镁掺杂氧化锌层同为金属氧化物,指状电极可以由银导电膏印刷形成,背面电极层可以由铜、银等的金属膜形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2015-060847号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,专利文献1的太阳能电池采用作为金属氧化物的受光面电极层及镁掺杂氧化锌层,这些金属氧化物增加了太阳能电池的成本。
解决问题的手段
此处所公开的实施例是一种太阳能电池其特征在于,包括:第一导电型或是第二导电型的半导体基板、半导体基板上的非晶硅膜、及非晶硅膜上的电极,所述太阳能电池中从非晶硅膜与电极的界面,在非晶硅膜侧的非晶硅膜的区域与电极含有银及银以外的金属。
此处所公开的实施例是一种太阳能电池制造方法,其特征在于,包括以下工序:在第一导电型或是第二导电型的半导体基板上形成非晶硅膜的工序、在所述非晶硅膜上形成含有银以及银以外的金属的金属膜的工序、在非晶硅膜与电极之间形成与电极接触且含有银以及银以外的金属的金属膜的工序。
发明效果
根据此处所公开的实施例,可以降低太阳能电池的成本。
附图说明
图1是作为第一实施例的太阳能电池的异质结型背接触单元示意性剖面图。
图2是图1所示的异质结型背接触单元的第一电极及第二电极附近的示意性的放大剖面图。
图3是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图4是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图5是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图6是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图7是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图8是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图9是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图10是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图11是关于图1所示的异质结型背接触单元的制造方法的一个例子的制造工序的一部分的图解的示意性剖面图。
图12(a)为图1所示的异质结型背接触单元的电极附近的剖面透过型电子显微镜(TEM)照片,图12(b)为根据图1所示的异质结型背接触单元的第一接触区域的能量色散x射线荧光光谱法(EDX)的成分分析结果。
图13(a)为比较例的异质结型背接触单元的电极附近的剖面透过型电子显微镜(TEM)照片,图13(b)为根据比较例的异质结型背接触单元的第一非晶硅膜的能量色散x射线荧光光谱法(EDX)的成分分析结果。
图14是作为第三实施例的太阳能电池的两面电极型太阳能电池单元示意性的剖面图。
具体实施例
下述,作为在此所公开的太阳能电池实施例的示例,说明第一至四实施例的太阳能电池。并且,在实施例的说明所使用的图面中,同一参考符号表示为同一部分或是相当部分。
[第一实施例]
<异质结型背接触单元的结构>
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的