[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，是具有压电膜的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置具备：

高声速部件，其传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为高速；

低声速膜，层叠在所述高声速部件上，且该低声速膜传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为低速；

所述压电膜，层叠在所述低声速膜上；和

IDT电极，形成在所述压电膜的一个面，

在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，所述压电膜的膜厚被设为超过1.5λ且为3.5λ以下，

所述高声速部件是高声速支承基板，

所述弹性波装置还具备：接合层，设置在从所述高声速支承基板至所述低声速膜与所述压电膜的界面为止的任意位置，

所述低声速膜包含氧化硅，

所述接合层存在于所述低声速膜中的位置，

所述低声速膜具有：第1低声速膜层，位于所述接合层的所述压电膜侧；和第2低声速膜层，位于所述接合层的与所述压电膜相反的一侧，

在将所述弹性波装置所利用的弹性波的波长设为λ时，所述第1低声速膜层的膜厚为0.12λ以上。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述高声速支承基板是硅基板。

3.一种弹性波装置，是具有压电膜的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置具备：

高声速部件，其传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为高速；

低声速膜，层叠在所述高声速部件上，且该低声速膜传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为低速；

所述压电膜，层叠在所述低声速膜上；和

IDT电极，形成在所述压电膜的一个面，

在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，所述压电膜的膜厚被设为超过1.5λ且为3.5λ以下，

所述弹性波装置还具备支承基板，

所述高声速部件是设置在所述支承基板上的高声速膜，

所述弹性波装置还具备：接合层，设置在从所述高声速膜中至所述低声速膜与所述压电膜的界面为止的任意位置，

所述低声速膜包含氧化硅，

所述接合层存在于所述低声速膜中的位置，

所述低声速膜具有：第1低声速膜层，位于所述接合层的所述压电膜侧；和第2低声速膜层，位于所述接合层的与所述压电膜相反的一侧，

在将所述弹性波装置所利用的弹性波的波长设为λ时，所述第1低声速膜层的膜厚为0.12λ以上。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述接合层包括金属氧化物层或金属氮化物层。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述接合层包括Ti层，所述Ti层的膜厚为0.4nm以上且为2.0nm以下。

6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，

所述Ti层的膜厚为0.4nm以上且为1.2nm以下。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜由氧化硅的膜构成，或者由以氧化硅为主成分的膜构成。

8.根据权利要求1～3的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电膜包含LiTaO₃。

9.根据权利要求1或3所述的弹性波装置，其中，

所述第1低声速膜层的膜厚为0.22λ以上。

10.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，还具备：

中间层，配置在所述高声速膜与所述支承基板之间。

11.一种高频前端电路，具备：

权利要求1～10的任一项所述的弹性波装置；和

功率放大器。

12.一种通信装置，具备：

权利要求11所述的高频前端电路；

RF信号处理电路；和

基带信号处理电路。