[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置有效

专利信息
申请号: 201680049730.8 申请日: 2016-09-02
公开(公告)号: CN107925397B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 岩本英树;大坪亮;藤尾幸平 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H9/25
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 弹性 装置 高频 前端 电路 以及 通信
【说明书】:

提供一种Q值高且由压电膜的膜厚偏差导致的特性的偏差少的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,低声速膜(4)、压电膜(5)以及IDT电极(6)按该顺序层叠在作为高声速部件的高声速支承基板(3)上。在将由IDT电极(6)的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,压电膜(5)的膜厚超过1.5λ且为3.5λ以下。在高声速支承基板(3)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为高速。在低声速膜(4)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为低速。

技术领域

本发明涉及在谐振器、带通滤波器等中使用的弹性波装置及利用了该弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。

背景技术

以往,作为谐振器、带通滤波器,广泛使用了弹性波装置。在下述专利文献1中,公开了低声速膜、压电膜以及IDT电极按该顺序层叠在高声速支承基板上的弹性波装置。在专利文献1中,还公开了高声速膜、低声速膜、压电膜以及IDT电极按该顺序层叠在支承基板上的弹性波装置。

在高声速支承基板、高声速膜中传播的体波(Body Wave)声速与在压电膜中传播的弹性波声速相比为高速。在低声速膜中传播的体波声速与在压电膜中传播的弹性波声速相比为低速。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:WO2012/086639A1

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的弹性波装置中,视为通过采用高声速支承基板与低声速膜的层叠体、高声速膜以及低声速膜的层叠体,能够提高Q值。然而,所使用的压电膜的膜厚非常薄,为1.5λ以下。因此,存在由压电膜的膜厚偏差导致的特性的偏差变大的问题。

本发明的目的在于,提供一种Q值高且由压电膜的膜厚偏差导致的特性的偏差少的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。

用于解决课题的手段

本发明所涉及的弹性波装置是具有压电膜的弹性波装置,具备:高声速部件,其传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为高速;低声速膜,层叠在所述高声速部件上,且该低声速膜传播的体波声速与在所述压电膜中传播的弹性波声速相比为低速;所述压电膜,层叠在所述低声速膜上;和IDT电极,形成在所述压电膜的一个面,在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为超过1.5λ且为3.5λ以下。

在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的方面中,所述高声速部件是高声速支承基板。在该情况下,能够实现构造的简化以及部件件数的降低。

在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的方面中,还具备:接合层,设置在从所述高声速支承基板至所述低声速膜与所述压电膜的界面为止的任意位置。

在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的方面中,所述接合层存在于所述高声速支承基板中、所述高声速支承基板与所述低声速膜的界面、所述低声速膜中、或所述低声速膜与所述压电膜的界面之中的任意位置。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面中,所述高声速支承基板是硅基板。在该情况下,由于硅基板加工性优异,因此能够容易地制造弹性波装置。此外,能够更进一步减小特性的偏差。进而,能够抑制高阶模式。

在本发明所涉及的弹性波装置的另一特定的方面中,还具备支承基板,所述高声速部件是设置在所述支承基板上的高声速膜。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面中,还具备:接合层,设置在从所述高声速膜中至所述低声速膜与所述压电膜的界面为止的任意位置。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面中,所述接合层存在于所述高声速膜中、所述高声速膜与所述低声速膜的界面、所述低声速膜中、或所述低声速膜与所述压电膜的界面之中的任意位置。

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