[发明专利]用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置有效
申请号: | 201680049786.3 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN108352340B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | P.德雷斯;U.迪茨;P.格拉比茨 | 申请(专利权)人: | 聚斯微技术光掩模设备两合公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/10;B08B7/00;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜;邓雪萌 |
地址: | 德国施特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 利用 uv 辐射 辐照 液体 介质 施加 到基板上 装置 | ||
1.一种用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置,所述装置包括:
壳体,其具有细长的腔室、通向所述腔室的至少一个入口开口、和与所述入口开口相对的至少一个狭缝状出口开口,所述至少一个狭缝状出口开口在所述腔室的长度上延伸;
管元件,其沿纵向方向延伸通过所述腔室,所述管元件对于UV辐射至少部分透明,其中,所述管元件布置在所述腔室中,使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间,所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称,所述纵向中心平面将所述出口开口在其中间剖切,以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的所述狭缝状出口开口中,且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个纵向延伸的出口狭缝;以及
在所述管元件中的至少一个UV辐射源,其布置成使UV辐射朝着所述流动空间的方向并通过所述出口开口自所述壳体离开发射,以便在所述液体中生成自由基以及将所述自由基带到所述基板的表面;
其特征在于:
器件,其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且离开所述出口开口的所述辐射,使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中,在所述基板的所述表面上形成自由基的大体上均匀的空间分布,
其中,所述管元件具有圆形横截面,且所述器件包括至少一个光学器件,其布置成改变通过所述出口开口和所述管元件离开的所述辐射的强度,使得所述强度朝所述腔室的所述纵向中心平面降低。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述器件包括所述管元件的平坦部分,其面向所述基板的所述表面,其能够平行于基板表面布置,其中,所述平坦部分具有对应于所述出口开口的面积的至少50%的面积。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述器件包括至少一个光学器件,其布置成使传递通过所述平坦部分的所述辐射的强度均匀化。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述强度朝所述腔室的所述纵向中心平面稳定地降低。
5.根据权利要求3或4所述的装置,其中,所述至少一个光学器件包括至少一个镜元件,其布置在所述至少一个辐射源的与所述基板相对的侧处和/或邻近所述辐射源,且其朝所述出口开口反射辐射。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述镜元件相对于所述腔室的所述纵向中心平面对称。
7.根据权利要求3或4所述的装置,其中,所述至少一个光学器件是在所述管元件内的至少一个箔构件和覆层中的一者,其位于所述管元件的布置在所述出口开口中或所述腔室外侧的一部分上或者邻近于所述管元件的布置在所述出口开口中或所述腔室外侧的一部分,其中,所述箔构件和所述覆层中的至少一者具有对于UV辐射在空间上变化的透射比。
8.根据权利要求3或4所述的装置,其中,所述至少一个光学器件包括所述管元件的至少一部分,其布置在所述出口开口中或在所述腔室外侧且其具有对于UV辐射在空间上变化的透射比。
9.根据权利要求7所述的装置,所述箔构件、所述覆层和所述管元件中的至少一者的透射比朝所述纵向中心平面降低。
10.根据权利要求4所述的装置,其中,所述至少一个光学器件包括多个UV辐射源,所述UV辐射源定位在所述管元件内、彼此邻近且邻近于所述管元件的布置在所述出口开口中或在所述腔室外侧的一部分,其中,邻近的辐射源以不同的辐射强度发射UV辐射,使得所述辐射强度朝所述腔室的所述纵向中心平面降低。
11.根据权利要求10所述的装置,其还包括在所述管元件中的至少一个分隔元件,其基本上阻止所述多个UV辐射源朝着所述流动空间的方向的辐射。
12.根据权利要求7所述的装置,所述箔构件、所述覆层和所述管元件中的至少一者的透射比朝所述纵向中心平面稳定地降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造