[发明专利]用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置

说明书

公开了一种用于将已利用UV辐射充电的液体介质施加到基板的设备，所述设备具有下述：壳体，其具有细长的腔室、具有朝所述腔室打开的至少一个入口开口、并且具有狭槽状出口开口，其与所述至少一个入口开口相对定位且其在所述腔室的长度上延伸；管元件，其沿纵向方向延伸通过所述腔室且其对于UV辐射至少部分透明，其中，所述管元件布置在所述腔室中，使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间，所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称，所述纵向中心平面居中贯穿所述出口开口，以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的狭槽状出口开口中，且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个出口狭槽，其沿纵向方向延伸；以及在所述管元件中的至少一个UV辐射源，该至少一个UV辐射源布置成以便使UV辐射朝着所述流动空间的方向并且通过所述出口开口自所述壳体离开发射。所述装置的特征在于器件，其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且从所述出口开口出现的辐射，使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中，在所述基板的表面上实现自由基的大体上均匀的空间分布。在该已知的构造的情况下，在所述出口开口的中心下方的区域中实现高的自由基浓度，该自由基浓度横向于所述出口开口迅速降低。

本发明涉及一种装置，其用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上以便处理该基板，其中，液体在所述装置的区域中被局部地施加到基板的部分地区，以及其中，UV辐射被引入到液体中。

在半导体技术中，已知例如，光掩模在其生产期间和在其使用期间两者中，必须经受不同处理步骤，尤其是清洁步骤。例如，已知使光掩模经受湿法清洁，在其中，至少局部地在基板上形成液膜，且UV辐射被引入到该液膜中。在半导体晶片的制造期间，还已知用于半导体晶片的对应的清洁步骤。在该情形中，液体和UV辐射匹配成使得大部分UV辐射在液膜中被吸收，以便在液膜中生成有助于清洁的自由基。尤其，已知在例如稀释的过氧化氢水或臭氧水O₃-H₂O中生成羟基自由基。这样的羟基自由基导致来自基板表面的有机材料的选择性溶解，而不损害在基板表面上的金属层（如果其存在的话）。通常，在这样的湿法处理中，用于液体的施加单元（经由其，UV辐射也被引入到液体中）跨越基板移动，使得液体在基板上扫掠。利用自由基的处理主要在施加单元下方进行，因为当施加单元继续移动，且刚刚已用UV辐射辐照的区域不再用UV辐射辐照时，自由基迅速分解。

适用于该目的的装置例如从本申请的同一申请人的德国专利申请DE 10 2009058 962 A1已知。尤其，该申请示出根据权利要求1的前序部分的装置。在已知的设计中，高浓度的自由基在施加单元的出口开口下方的纵向中心地区中形成，然而，该浓度朝着横向于出口开口的方向迅速降低。

鉴于根据上述申请的装置，本申请的目的是提供自由基在基板的表面上的良好分布。本发明与上文提及的德国专利申请DE 10 2009 058 962 A1的设备的区别在于权利要求1的特征部分的额外特征。