[发明专利]使用保形掺杂物沉积的3D Si结构中的保形掺杂

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

通过热化学气相沉积工艺和等离子体沉积工艺的组合在基板上形成的三维结构上沉积由硼、碳和氮组成的保形膜，其中所述三维结构是含硅FinFET器件；和

使所述三维结构和所述膜退火以将硼扩散至所述三维结构中，以便掺杂所述FinFET器件。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述膜中的所述硼源自二甲胺硼烷前驱物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述退火工艺是快速热退火工艺。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述快速热退火工艺是在700℃与1100℃之间的温度下进行的尖峰退火工艺。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述尖峰退火工艺包括激光尖峰退火。

6.一种基板处理方法，包括：

在基板上形成含硅三维结构；

将所述含硅三维结构暴露于一种或多种含掺杂物的前驱物和一种或多种载气；

通过热化学气相沉积工艺和等离子体沉积工艺的组合将由硼、碳和氮组成的保形膜沉积在所述含硅三维结构上；以及

使所述含硅三维结构和所述保形膜退火以将所述掺杂物从所述保形膜扩散至所述含硅三维结构中。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含硅三维结构包括FinFET器件结构。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述掺杂物是硼并且所述含掺杂物的前驱物是二甲胺硼烷。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述退火是在700℃与1100℃之间的温度下进行的尖峰退火工艺。

10.一种基板处理方法，包括：

将具有三维结构的基板定位在膜沉积腔室的处理区域中，所述三维结构形成于所述基板上；

将所述三维结构暴露于一种或多种含掺杂物的前驱物和一种或多种载气；

通过热化学气相沉积工艺和等离子体沉积工艺的组合将由硼、碳和氮组成的保形膜沉积在所述三维结构上；

将所述基板传送至热处理腔室；和

使所述三维结构和所述保形膜退火以将所述掺杂物从所述保形膜扩散至所述三维结构中。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述膜沉积腔室经构造以进行热化学气相沉积工艺来沉积所述保形膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中沉积所述保形膜是在200℃与650℃之间的温度下在所述膜沉积腔室中进行。

13.如权利要求12所述的方法，其中在所述保形膜沉积期间将所述处理区域维持在100mTorr与100Torr之间的压力下。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述一种或多种含掺杂物的前驱物包括二甲胺硼烷。

15.如权利要求14所述的方法，其中在所述一种或多种含掺杂物的前驱物中的所述二甲胺硼烷和所述一种或多种载气的分压在10帕斯卡与1000帕斯卡之间。