[发明专利]包含导电线的半导体装置及形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一组导电线，其在第一方向上延伸，所述第一组导电线中的每一导电线包括在相应导电线的位于其端部分处的扩大部分上的导电触点，其中所述第一组导电线中的每一导电线的所述扩大部分比所述相应导电线的其它部分宽；及

第二组导电线，其在所述第一方向上延伸，所述第二组导电线中的每一导电线包括导电触点，所述导电触点构成扩大部分且位于所述导电线的端部分之间，其中所述第二组导电线中的每一导电线的所述扩大部分比相应导电线的其它部分宽，所述第二组导电线中的每一导电线邻近于所述第一组导电线中的至少一个导电线而定位，所述第二组导电线的所述导电触点彼此纵向偏移且横向偏移。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电线的所述导电触点中的约一半导电触点位于所述第一组导电线中的所述导电线的第一端处且所述第一组导电线的所述导电触点中的约一半导电触点位于所述第一组导电线中的所述导电线的第二端处。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括位于所述第一组导电线中的所述导电线的所述端部分处的垫。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电线包括数目与所述第二组导电线中的导电线数目大约相同的导电线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电线的所述导电触点彼此横向位移。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括位于所述半导体装置的外围区域处的至少一个开口，所述至少一个开口分离邻近导电线。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二组导电线的所述扩大部分位于所述半导体装置的阵列区域中且所述第一组导电线的所述扩大部分位于所述半导体装置的外围区域中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中邻近导电线分离达介于约10nm与约20nm之间。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括在大体上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第三组导电线。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电线的所述导电触点彼此纵向偏移且横向偏移。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电线中的所述导电线各自包括接近所述第一组导电线的邻近导电线的扩大部分的窄区域。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二组导电线中的每一导电线的所述扩大部分以相对于所述相应导电线的纵向轴线成介于约10°与约30°之间的角度延伸。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二组导电线中的所述导电线的所述扩大部分包括弯曲表面。

14.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

形成在第一方向上延伸的第一组导电线；

在所述第一组导电线中的每一导电线上在相应导电线的位于其端部分处的扩大部分上形成导电触点，其中所述第一组导电线中的每一导电线的所述扩大部分比所述相应导电线的其它部分宽；

形成在所述第一方向上延伸的第二组导电线，形成所述第二组导电线包括将所述第二组导电线中的每一导电线形成为邻近于所述第一组导电线中的至少一个导电线而定位；及

在所述第二组导电线中的每一导电线上在相应导电线的扩大部分上且介于所述相应导电线的端部分之间形成导电触点，其中所述第二组导电线中的每一导电线的所述扩大部分比所述相应导电线的其它部分宽，其中在所述第二组导电线中的每一导电线上形成导电触点包括将所述第二组导电线的所述导电触点形成为彼此横向偏移且纵向偏移。