[发明专利]使用了氢化嵌段共聚物的管

权利要求书

1.一种管，其为包含氢化嵌段共聚物(a)的管，其中，

所述氢化嵌段共聚物(a)在分子中包含：

以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(C)、

以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B)、和

以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段(S)，

所述氢化嵌段共聚物(a)中，所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(C)的含量为3质量％～15质量％，所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B)的含量为72质量％～94质量％，所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段(S)的含量为3质量％～13质量％，

所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(C)的氢化前的乙烯基键合量为1mol％～25mol％，所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B)的氢化前的乙烯基键合量为60mol％～100mol％，所述氢化嵌段共聚物(a)的氢化率为90mol％以上。

2.如权利要求1所述的管，其中，氢化嵌段共聚物(a)在分子中包含两个以上的所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B)，

在所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B)中，存在于氢化嵌段共聚物(a)的末端的聚合物嵌段(B-1)的含量为所述氢化嵌段共聚物(a)中的1质量％～10质量％。

3.一种管，其为包含氢化嵌段共聚物(a)的管，其中，

所述氢化嵌段共聚物(a)在分子中包含共轭二烯化合物单元和乙烯基芳香族化合物单元，

所述氢化嵌段共聚物(a)中的乙烯基芳香族化合物单元的含量为3质量％～13质量％，

所述氢化嵌段共聚物(a)的氢化率为90mol％以上，相对于共轭二烯化合物单元的合计100mol％，丁烯量和/或丙烯量为60mol％～85mol％，

所述氢化嵌段共聚物(a)在0～60℃具有结晶化的峰，结晶化热量为1.0J/g～8.0J/g，

所述氢化嵌段共聚物(a)的邵氏A硬度为25～55。

4.如权利要求1～3中任一项所述的管，其中，所述氢化嵌段共聚物(a)由1Hz条件下的动态粘弹性测定得到的tanδ峰存在于超过-45℃且为10℃以下的范围，

并且，所述tanδ峰的值为1.0以上，

所述tanδ峰的半峰宽为20℃以下。

5.如权利要求1～3中任一项所述的管，其中，其含有所述氢化嵌段共聚物(a)和聚丙烯树脂。

6.如权利要求1～3中任一项所述的管，其中，

其至少具有外层和内层，

所述外层包含聚丙烯树脂，

所述内层包含氢化嵌段共聚物(a)。

7.如权利要求6所述的管，其中，

所述外层的厚度为5μm～1000μm，

所述内层的厚度为10μm～3000μm。

8.如权利要求6所述的管，其中，所述外层包含所述氢化嵌段共聚物(a)和/或氢化嵌段共聚物(b1)，其中，氢化嵌段共聚物(b1)不包含氢化前的乙烯基键合量为1mоl％～25mоl％的以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段，

所述氢化嵌段共聚物(b1)包含以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B1)和以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段(S1)，

所述氢化嵌段共聚物(b1)中，所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B1)的含量为75质量％～92质量％，所述以乙烯基芳香族化合物为主体的聚合物嵌段(S1)的含量为8质量％～25质量％，

所述以共轭二烯化合物为主体的聚合物嵌段(B1)的氢化前的乙烯基键合量为40mol％～100mol％，

所述氢化嵌段共聚物(b1)的氢化率为80mol％以上，

所述外层中的聚丙烯树脂的含量为60质量％以上，

所述外层中的所述氢化嵌段共聚物(a)和/或氢化嵌段共聚物(b1)的含量为40质量％以下。