[发明专利]光电转换元件有效
申请号: | 201680050114.4 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN107924958B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 浅野直城;小林正道 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,包括:
n型的半导体基板;
所述半导体基板的第一面及侧面上的p型非晶态半导体膜;
所述半导体基板的所述第一面的n型非晶态半导体膜;
所述p型非晶态半导体膜上的p电极;以及
所述n型非晶态半导体膜上的n电极,
所述p电极位于被配置在所述半导体基板的所述第一面及所述侧面上的所述p型非晶态半导体膜上,
在所述半导体基板的所述侧面上,所述p型非晶态半导体膜比所述p电极长。
2.如权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述n电极是岛状。
3.如权利要求2所述的光电转换元件,其特征在于,
所述p电极与所述n电极隔着间隔,并围绕所述n电极。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的光电转换元件,其特征在于,
在所述半导体基板与所述p型非晶态半导体膜之间,还具备第一i型非晶态半导体膜,
在所述半导体基板与所述n型非晶态半导体膜之间,还具备第二i型非晶态半导体膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680050114.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于贴附导光板反射片的治具
- 下一篇:一种多麦克风录音的方法及移动终端
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的