[发明专利]光电转换元件

说明书

光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

技术领域

本申请对2015年8月31日申请的日本特愿2015-170647号，主张优先权，并通过参照将其全部内容包括于本文件中。

本发明涉及光电转换元件。

背景技术

近年来，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳能电池作为下一代能源的期待急剧提高。其中，现在制造以及销售最多的太阳能电池是在太阳光入射一侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成电极的结构的太阳能电池。

然而，在受光面形成了电极的情况下，由于有电极的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的减少量相应于电极的面积的量。因此，正在推进只在背面形成了电极的背结型太阳能电池的开发(例如，参照专利文献1)。

图15中，示出在专利文献1中记载的以往的背结型太阳能电池的示意性的截面图。如图15所示的背结型太阳能电池具有如下的结构：在具有n型或p型的导电型的晶体半导体基板111的受光面上，依次层叠有i型非晶态半导体层117i、n型非晶态半导体层117n及绝缘层116。

在晶体半导体基板111的背面形成有IN层叠体112，IN层叠体112在晶体半导体基板111上具有依次层叠有i型非晶态半导体层112i及n型非晶态半导体层112n的结构。

此外，在晶体半导体基板111的背面形成有IP层叠体113，IP层叠体113在晶体半导体基板111上具有依次层叠有i型非晶态半导体层113i及p型非晶态半导体层113p的结构。

n侧电极114及p侧电极115分别按如下方式形成。即，首先，通过等离子体CVD法等CVD(chemical vapor deposition，化学气相沉积)法、溅射法等薄膜形成法来在晶体半导体基板111的整个背面侧形成导电层(未图示)。接下来，通过光刻法等来分割导电层。其后，在导电层上形成镀膜。另外，n侧电极114及p侧电极115通过在晶体半导体基板111的背面的绝缘层118上设置的槽119来电性隔离。

如图15所示，在以往的背结型太阳能电池中，n层电极114及p侧电极115没有分别在晶体半导体基板111的背面的端缘部110a2形成，而仅在除了端缘部110a2以外的区域110a1形成。这是由于在n侧电极114及p侧电极115形成时，作为用于固定晶体半导体基板111的区域而需要未形成有电极的端缘部110a2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-219065号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，在本技术领域中，期望与以往的背结型太阳能电池相比提高光电转换效率。

解决问题的手段

在此公开的实施方式是如下的光电转换元件：该光电转换元件包括：n型的半导体基板；半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜上的p电极；以及n型非晶态半导体膜上的n电极，p电极位于被配置在半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜上。

发明效果

根据在此公开的实施方式，与以往的背结型太阳能电池相比能够提高光电转换效率。

附图说明