[发明专利]用于存储器结构中的控制栅极电极的钴和钴-半导体合金的横向堆叠体

权利要求书

1.一种三维存储器器件，包括：

绝缘层和导电层的交替堆叠体，并且其位于基板之上；以及

通过所述交替堆叠体延伸的存储器堆叠体结构，

其中：

所述导电层中的每一个包括具有面向所述存储器堆叠体结构的第一侧的钴部分、以及与所述钴部分的第二侧接触的钴-半导体合金部分，其中：

所述钴-半导体合金部分具有可变的厚度，所述可变的厚度的最小值位于其相应的最顶表面与其相应的最底表面之间；并且

每个钴部分具有接触相应的钴-半导体合金部分的凹形侧壁的凸形侧壁。

2.如权利要求1所述的三维存储器器件，还包括：

通过所述交替堆叠体延伸的背侧沟槽；

位于所述背侧沟槽内的绝缘间隔体；

由所述绝缘间隔体围绕的接触通孔结构，其中所述钴-半导体合金部分与所述绝缘间隔体接触。

3.如权利要求2所述的三维存储器器件，其中：

所述钴-半导体合金部分与所述绝缘间隔体之间的界面位于垂直平面之内；并且

所述钴-半导体合金部分与所述绝缘间隔体之间的界面从包括所述绝缘层的侧壁的另一垂直平面横向地凹陷。

4.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中每个导电层还包括接触相应的钴部分和相应的钴-半导体合金部分的金属衬垫。

5.如权利要求4所述的三维存储器器件，其中：

所述金属衬垫接触所述相应的钴部分的垂直侧壁表面、平面顶表面和平面底表面；

所述金属衬垫接触相应的钴-半导体合金部分的顶表面和底表面；并且

所述金属衬垫包括导电金属氮化物和导电金属碳化物中的至少一种。

6.如权利要求5所述的三维存储器器件，其中相比所述金属衬垫所接触的相应的钴-半导体合金部分的外侧壁，所述金属衬垫从所述存储器堆叠体结构向外横向地延伸得更远。

7.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中：

所述钴部分基本上由钴组成；并且

所述钴-半导体合金部分包括硅化钴。

8.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个从内到外包括：

半导体沟道；

横向地围绕所述半导体沟道的隧穿电介质层；以及

横向地围绕所述隧穿电介质层的电荷存储区域的垂直堆叠体。

9.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中：

所述三维存储器器件包括形成在器件区域中的垂直NAND器件；

所述导电层包括，或者电连接到所述NAND器件的相应的字线；

所述器件区域包括：

多个半导体沟道，其中所述多个半导体沟道中的每一个的至少一个端部部分基本上垂直于所述基板的顶表面延伸；

多个电荷存储区域，每个电荷存储区域位于所述多个半导体沟道中的相应的一个的附近；以及

多个控制栅极电极，其具有基本上平行于所述基板的顶表面延伸的条形；

所述多个控制栅极电极至少包括位于第一器件级中的第一控制栅极电极、以及位于第二器件级中的第二控制栅极电极；

所述堆叠体中的导电层与所述多个控制栅极电极电接触，并且从所述器件区域延伸到包括多个导电通孔连接的接触区域；并且

所述基板包括硅基板，其含有NAND器件的驱动电路。