[发明专利]微通道板及电子倍增体

权利要求书

1.一种微通道板，其特征在于，

具备：

基体，具有表面、背面及侧面；

多个通道，从所述基体的所述表面贯通至所述背面；

第一膜，至少设置于所述通道的内壁面上；

第二膜，设置于所述第一膜上；以及

电极层，分别设置于所述基体的所述表面上及所述背面上，

所述第一膜由Al₂O₃形成，

所述第二膜由SiO₂形成，

所述第一膜的厚度比所述第二膜的厚度厚。

2.根据权利要求1所述的微通道板，其中，

在使用荧光X射线分析法算出的情况下，所述第一膜的厚度为10埃以上的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的微通道板，其中，

所述基体由绝缘性材料形成，

在所述通道的内壁面和所述第一膜之间形成有电阻膜。

4.根据权利要求1或2所述的微通道板，其中，

所述基体由电阻性材料形成。

5.根据权利要求1或2所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜形成于所述基体的所述表面上、所述背面上及所述侧面上，

所述电极层形成于所述第二膜上。

6.根据权利要求1或2所述的微通道板，其中，

所述电极层以与所述基体的所述表面及所述背面接触的方式形成，

所述第一膜及所述第二膜形成于所述电极层上、所述基体的所述表面上、所述背面上及所述侧面上。

7.根据权利要求3所述的微通道板，其中，

所述电阻膜、所述第一膜及所述第二膜形成于所述基体的所述表面上、所述背面上及所述侧面上，

所述电极层形成于所述第二膜上。

8.根据权利要求3所述的微通道板，其中，

所述电极层以与所述基体的所述表面及所述背面接触的方式形成，

所述电阻膜、所述第一膜及所述第二膜形成于所述基体的所述表面上、所述背面上及所述侧面上。

9.根据权利要求1或2所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

10.根据权利要求3所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

11.根据权利要求4所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

12.根据权利要求5所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

13.根据权利要求6所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

14.根据权利要求7所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。

15.根据权利要求8所述的微通道板，其中，

所述第一膜及所述第二膜为通过原子层堆积法形成的层。