[发明专利]微通道板及电子倍增体

说明书

一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al₂O₃形成。保护膜由SiO₂形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。

技术领域

本发明的一方面涉及一种微通道板及电子倍增体。

背景技术

目前，已知有一种具备具有表面及背面的基体、和从基体的表面贯通至背面的多个通道的微通道板(例如参照专利文献1)。在该微通道板中，在通道上形成有第一发射层，在第一发射层上形成有第二发射层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表第2011－513921号公报

发明内容

发明要解决的课题

通常，微通道板是在图像增强器或光电子倍增管(Photomultiplier Tube)等的真空管内使用的器件。就微通道板而言，如果考虑到制造中的处理性及微通道板单体对顾客的输送环境，则在与真空管不同的环境下的特性的稳定性至为重要。在上述现有技术中，例如在将微通道板置于大气中的情况下，由Al₂O₃层构成的第二发射层的表面被污染或发生变质的结果是，可能发生增益的经时劣化。在上述现有技术中，将第一发射层的二次电子发射系数和第二发射层的二次电子发射系数的大小充分考虑到微通道板的结构中，因此，例如即使第一发射层的二次电子发射系数大，有时也会出现不利用其特性而微通道板的增益降低的情况。

本发明的一方面的目的在于，提供一种实现增益的提高，同时能够抑制增益的经时劣化的微通道板及电子倍增体。

用于解决课题的技术方案

为了解决上述课题，本发明人等进行了深入研究。其结果，本发明人等得到下述见解，通过在通道的内壁面上设置由Al₂O₃(氧化铝)形成的第一膜，在该第一膜上设置由SiO₂(二氧化硅)形成的第二膜，能够抑制增益的经时劣化。而且，本发明人等得到下述见解，通过使由Al₂O₃形成的第一膜的厚度比由SiO₂形成的第二膜的厚度厚，能够利用二次电子发射系数大的Al₂O₃的特性高效地实现增益的提高，直至完成本发明。

本发明的一方面提供了一种微通道板，其具备：基体，其具有表面、背面及侧面；多个通道，其从基体的表面贯通至背面；第一膜，其至少设置于通道的内壁面上；第二膜，其设置于第一膜上；电极层，其分别设置于基体的表面上及背面上，第一膜由Al₂O₃形成，第二膜由SiO₂形成，第一膜的厚度比第二膜的厚度厚。

在该微通道板中，在由Al₂O₃形成的第一膜上设置有由SiO₂形成的第二膜，因此，例如在置于大气中的情况下，能够抑制增益的经时劣化。使由Al₂O₃形成的第一膜的厚度比由SiO₂形成的第二膜的厚度厚，因此，利用二次电子发射系数大的Al₂O₃的特性，使由Al₂O₃形成的第一膜起到作为主要二次电子倍增层的功能，能够高效地实现增益的提高。因此，可以实现增益的提高，同时抑制增益的经时劣化。