[发明专利]喷嘴单元

说明书

本发明提供一种防止在向FOUP填充气体时大气进入的喷嘴单元。因此，该喷嘴单元包括：喷嘴主体(71)，其具有连通于用于收纳收纳物的容器(7)的气体供给口(72)和连通于气体供给口(72)的气体流路(77)；供给喷嘴(78)，其连接于气体流路(77)，用于经由气体供给口(72)向容器供给气体；以及排气喷嘴(83)，其连接于气体流路(77)，用于对气体流路(77)进行排气。

技术领域

本发明涉及一种用于向收纳正在输送的晶圆的收纳容器填充气体的喷嘴单元。

背景技术

以往，通过对作为基板的晶圆实施各种处理工序来进行半导体的制造。近年来元件的高集成化、回路的微细化逐渐发展，为了不发生微粒、水分附着于晶圆表面的情况，要求将晶圆周边维持在较高的清洁度。并且，为了不发生晶圆表面氧化等表面性状变化的状况，也进行了使晶圆周边成为非活性气体即氮气氛或者成为真空状态的操作。

为了适当地维持这样的晶圆周边的气氛，晶圆被放入到被称作FOUP(Front-Opening Unified Pod)的密闭式的存储舱的内部来进行管理，在该内部填充氮。并且，为了在用于对晶圆进行处理的处理装置和FOUP之间进行晶圆的交接，而利用EFEM(EquipmentFront End Module)。EFEM构成在壳体的内部大体封闭的晶圆输送室，并且在其相对壁面中的一个壁面具有作为与FOUP之间的接口部发挥功能的装载站(Load Port)，并在另一个壁面连接处理装置的一部分即加载互锁真空室。在晶圆输送室内设有用于输送晶圆的晶圆输送装置，使用该晶圆输送装置在连接于装载站的FOUP和加载互锁真空室之间进行晶圆的存取。晶圆输送室通常是从配置于输送室上部的风扇过滤单元始终送入清洁的大气即下降流。

并且，近年来，在晶圆的最前端工艺中，甚至连用作下降流的清洁的大气所含有的氧、水分等都有可能使晶圆的性状发生变化。因此，要求像专利文献1那样向FOUP内注入非活性气体使得晶圆周边成为氮气氛的技术实用化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011―187539号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1所记载的喷嘴单元中，仍然在注入喷嘴内的流路残存大气、微粒。其结果，存在如下问题：在要求更低氧浓度、低湿度的FOUP内，混入这些残存的大气、微粒，而有可能导致晶圆的性状发生变化。

因此，本发明即是为了解决上述那样的问题而完成的，其目的在于提供一种在向FOUP填充非活性气体时防止大气进入的喷嘴单元。

用于解决问题的方案

第1发明的喷嘴单元包括：

喷嘴主体，其具有连通于用于收纳收纳物的容器的气体供给口和连通于所述气体供给口的气体流路；

供给喷嘴，其连接于所述气体流路，用于经由所述气体供给口向所述容器供给气体；以及

排气喷嘴，其连接于所述气体流路，用于对所述气体流路内进行排气。

在该喷嘴单元中，利用排气喷嘴排出大气。因而，在容器和喷嘴主体接触之后，排出包含喷嘴主体、供给喷嘴以及排气喷嘴的喷嘴单元内的大气，再由供给喷嘴向容器供给气体。由此，能够防止喷嘴单元内的大气流入到容器的内部。另外，在此，大气意味着会使收纳于容器的晶圆氧化等、像氧、水分、微粒那样有可能使晶圆的性状发生变化的物质、以及含有这些物质的气体。由于防止该大气流入到容器，因此能够防止收纳于容器的晶圆的性状变化。

在第2发明的喷嘴单元中，