[发明专利]多射束暗场成像有效

专利信息
申请号: 201680051258.1 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN108027500B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: D·马斯纳盖蒂;M·麦科德;R·西蒙斯;R·克尼彭迈耶 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: G02B21/22 分类号: G02B21/22;G02B21/36;G01N21/47
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多射束 暗场 成像
【说明书】:

本发明揭示具有暗场成像能力的多射束扫描电子显微镜SEM检验系统。SEM检验系统可包含电子源及至少一个光学装置。所述至少一个光学装置可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束且朝向目标递送所述多个初级子射束。设备还可包含检测器阵列,所述检测器阵列经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束且产生所述目标的至少一个暗场图像。

相关申请案的交叉参考

本申请案依据35U.S.C.§119(e)主张于2015年9月21日提出申请的第62/221,593号美国临时申请案的权益。所述第62/221,593号美国临时申请案特此以其全文引用的方式并入。

本申请案与同在申请中且同时提出申请的美国专利申请案(编号待指派)有关,所述美国专利申请案具有科磊公司(KLA Tencor Corporation)的档案号P4770,标题为“使用多射束工具的背向散射电子(BSE)成像(Backscattered Electrons(BSE)Imaging UsingMulti-Beam Tools)”且列示马克·麦考德(Mark McCord)等人作为发明人,所述美国专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及检验系统的领域,且明确地说涉及电子射束检验系统。

背景技术

例如硅晶片等薄的经抛光板是现代技术的极重要部分。举例来说,晶片可是指在集成电路及其它装置的制作中所使用的半导体材料薄切片。晶片经受缺陷检验,且扫描电子显微镜(SEM)检验被视为最敏感的晶片缺陷检验形式中的一者。

扫描电子显微镜(SEM)是一种类型的电子显微镜,其通过使用电子聚焦射束扫描目标(例如,晶片)而产生所述目标的图像。在目标中,电子与原子相互作用,从而产生含有关于所述目标的表面形貌及组合物的信息的各种信号。应注意,可通过增加电子聚焦射束的数目而增加SEM的处理量(从而提供一种被称为多射束SEM的SEM)。然而,还应注意,当前可购得的多射束SEM不支持多射束暗场成像。

发明内容

本发明针对于一种设备。所述设备可包含电子源及至少一个光学装置。所述至少一个光学装置可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束且朝向目标递送所述多个初级子射束。所述设备还可包含检测器阵列,所述检测器阵列经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束且产生所述目标的至少一个暗场图像。

本发明的又一实施例针对于一种设备。所述设备可包含电子源及至少一个光学装置。所述至少一个光学装置可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束且朝向目标递送所述多个初级子射束。所述设备还可包含多通道检测器阵列,所述多通道检测器阵列经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束且产生所述目标的至少一个暗场图像。

本发明的额外实施例针对于一种设备。所述设备可包含电子源及至少一个光学装置。所述至少一个光学装置可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束且朝向目标递送所述多个初级子射束。所述设备还可包含高密度检测器阵列,所述高密度检测器阵列经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束且产生所述目标的至少一个暗场图像。

应理解,前述一般说明及以下详细说明两者均仅为例示性及解释性的,且未必限制本发明。并入本说明书中且构成本说明书的部分的附图图解说明本发明的标的物。说明连同图式一起用于阐释本发明的原理。

附图说明

所属领域的技术人员可通过参考附图而优选地理解本发明的众多优点,在附图中:

图1是描绘经简化多射束SEM检验系统的图解;

图2是描绘根据本发明配置的多通道检测器的图解;

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