[发明专利]玻璃上无源器件（POG）装置和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

玻璃衬底；以及

电容器，耦合至所述玻璃衬底，所述电容器包括：

第一金属结构，对应于第一电极；

电介质结构；以及

通孔结构，包括第二电极，所述第一金属结构由所述电介质结构与所述通孔结构分离。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属结构对应于金属1(M1)层，以及其中所述通孔结构对应于通孔1(V1)层。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述通孔结构物理耦合至金属2(M2)层，以及其中所述通孔结构位于所述金属1(M1)层与所述金属2(M2)层之间。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属结构和所述通孔结构包括铜，以及其中所述电介质结构包括五氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O5)、或其组合。

5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括种子层，所述种子层位于所述电介质结构与所述通孔结构之间。

6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电介质层，所述电介质层与所述电介质结构不同，其中所述电介质层与所述电介质结构以及所述通孔结构接触。

7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电感器，所述电感器耦合至所述玻璃衬底，所述电感器包括：

第二金属结构，所述第二金属结构包括所述电感器的下置通道；

第二通孔结构，耦合至所述第二金属结构；以及

第三金属结构，所述第三金属结构包括所述电感器的绕组，所述第二通孔结构位于所述第二金属结构与所述第三金属结构之间。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二金属结构对应于金属1(M1)层，其中所述第二通孔结构对应于通孔1(V1)层，以及其中所述第三金属结构对应于金属2(M2)层。

9.一种形成无源器件的方法，所述方法包括：

形成无源器件的第一金属结构；

在玻璃衬底上沉积第一电介质材料；

平坦化所述第一电介质材料以形成第一电介质层；

在所述第一电介质层中形成空腔以暴露所述无源器件的电介质结构的表面，所述电介质结构位于所述第一金属结构上；以及

在所述电介质结构上形成所述无源器件的第二金属结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括玻璃上无源器件(POG)装置。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一金属结构被形成在所述玻璃衬底的表面上。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一金属结构对应于电容器的第一极板。

14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在所述第一金属结构之上形成所述电介质结构。

15.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在形成所述第二金属结构之后，刻蚀种子材料以形成种子层，所述种子层位于所述第二金属结构和所述电介质结构之间。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括位于所述第二金属结构和所述电介质结构之间的单个种子层。