[发明专利]玻璃上无源器件（POG）装置和方法

说明书

一种装置包括玻璃衬底和电容器。电容器包括耦合至第一电极的第一金属，电介质结构，以及包括电容器的第二电极的通孔结构。第一金属结构由电介质结构与通孔结构分离。

优先权的要求

本申请要求享有共同所有的2015年9月14日提交的美国非临时专利申请No.14/853,701的优先权，该申请的内容在此通过全文引用的方式整体并入本文。

技术领域

本公开总体涉及一种玻璃上无源器件(POG)装置。

背景技术

射频(RF)滤波器可以包括集成无源器件(IPD)，诸如玻璃上无源器件(POG)装置(例如电容器和/或电感器)。常规的电容器可以使用具有作为IPD制造工艺的一部分的6个掩模步骤的工艺而形成。IPD制造工艺中使用的每个掩模增加了工艺循环时间、复杂性以及形成IPD的成本。

发明内容

在一个特定方面中，一种装置包括玻璃衬底和电容器。电容器包括：包括第一电极的第一金属结构、电介质结构、以及包括第二电极的通孔结构。第一金属结构由电介质结构与通孔结构分离。

在另一特定方面中，一种方法包括在玻璃衬底上形成无源器件的第一金属结构并沉积第一电介质材料。方法进一步包括平坦化第一电介质材料以形成第一电介质层并在第一电介质层中形成空腔以暴露无源器件的电介质结构的表面。电介质结构位于第一金属结构上。方法也包括在电介质结构上形成无源器件的第二金属结构。

在另一特定方面中，一种方法包括形成第一无源器件的第一金属结构以及第二无源器件的第二金属结构。方法进一步包括在玻璃衬底上沉积第一电介质材料。方法也包括平坦化第一电介质材料以形成第一电介质层。方法包括在第一电介质层中形成第一空腔以暴露第一无源器件的电介质结构的第一表面以及形成第二空腔以暴露第二金属结构的第二表面。电介质结构位于第一金属结构上。方法也包括在电介质结构上形成第一无源器件的第三金属结构以及在第二金属结构上形成第二无源器件的第四金属结构。

在审阅整个申请包括附图说明、具体实施方式和权利要求的以下部分之后，本公开的其他方面、优点和特征将变得明显。

附图说明

图1是具有无源器件的电子装置的特定示意性方面的装置结构的截面图；

图2是图1的电子装置的电容器的特定示意性示例的截面图；

图3A-图3F是制造图1的电子装置的工艺流程的示意性示例的图；

图4A-图4E是制造图1的电子装置的工艺流程的示意性示例的图；

图5是形成图1的电子装置的方法的特定示意性方面的流程图；

图6是形成图1的电子装置的另一方法的特定示意性方面的流程图；

图7是形成图1的电子装置的另一方法的特定示意性方面的流程图；

图8是包括图1的电子装置的电子装置的方框图；以及

图9是用于制造包括图1的电子装置的电子装置的制造工艺的特定示意性方面的数据流程图。

具体实施方式

以下参照附图描述本公开的特别方面。在说明书中，由共同参考数字标记共同特征。